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利用標準CMOS與微機電製程技術之矽光檢測器(珪素製光センサー)
專利名稱 利用傳統互補金屬氧化物半導體與微機電系統製程技術之矽光檢測器成型方法及構造
申請日 (校編號) 2007/05/08  (096007TW)
2008/12/09  (096007JP)
專利證書號 I335086 中華民國
3148675 日本
專利權人 國立中央大學
發明人 辛裕明、黃維國、劉玉章


技術摘要:
一種利用傳統互補金屬氧化物半導體與微機電系統製程技術之矽光檢測器成型方法及構造,針對習用將矽光檢測器與接收電路整合製作於同一晶片上之矽光電積體電路,其絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator;簡稱SOI)基板相當昂貴。特提出利用傳統互補金屬氧化物半導體技術製作矽光檢測器,再加上微機電系統製程技術(側蝕刻製程)來消除基板吸收光後造成的影響和干擾,可進而大幅改善反應速度。而此結構僅需在元件製程完成後再以側蝕刻光檢測器下之部份基板,來有效減少基板吸收光後產生的慢速擴散載子,並能增加光檢測器的反應速度。

解決的問題或達成的功效:
本發明係提供一種利用傳統互補金屬氧化物半導體與微機電系統製程技術之矽光檢測器成型方法及構造,尤指其技術上提供一種矽光檢測器加上微機電系統製程技術(側蝕刻製程)來消除基板吸收光後造成的影響和干擾,可進而大幅改善反應速度。

應用領域:
半導體製造技術

適用產品:
矽光檢測器

IPC:
H01L-031/18(2006.01)

Claim 1:
1.一種利用傳統互補金屬氧化物半導體與微機電系統製程技術之矽光檢測器成型方法,係包含有:a.利用傳統互補金屬氧化物半導體製程製作出矽光檢測器;b.將利用傳統互補金屬氧化物半導體製程製作出之矽光檢測器,進行微機電系統製程,以消除元件底部基板,該微機電系統製程為側蝕刻製程。

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