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發光二極體結構 LED STRUCTURE
專利名稱 發光二極體結構 LED STRUCTURE
申請日 (校編號) 2010/05/10  (099010US)
2010/04/06  (099010TW)
2010/04/27  (099010CH)
專利證書號 8,237,174  美國
I455355 中華民國
1150201 中國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、劉學興、陳鵬壬


技術摘要:
傳統的發光二極體係採用鎳金或鉻金合金做為P型電流擴散層15,藉以提升電流分布的均勻性。惟,鎳金或鉻金合金材質的P型電流擴散層15透光性不佳,必須限制其厚度介於數百Å以獲得較佳的透光效果。然而,過薄的厚度不易形成緻密穩定的薄膜,因此難以在均勻分散電流和透光要求下取得平衡。有鑑於此,本發明的目的在於解決上述問題,進而提出一種能提升N型區域電流擴散效果,降低N型區域片電阻值的發光二極體結構。

解決的問題或達成的功效:
本發明有關一種發光二極體(light-emitting diode, LED)結構,尤指一種能增加電流分佈能力的發光二極體結構。

應用領域:
照明設備、螢幕、車用照明

適用產品:
LED

IPC:
H01L-033/14(2010.01)

Claim 1:
1.一種發光二極體結構,包含:
一基板;
一N型半導體層,形成於該基板上;
一發光層,形成於該N型半導體層上;
一P型半導體層,形成於該發光層上;
其中,該N型半導體層中更包含至少一N型電流擴散層,用以使流經N型半導體層的電流均勻分佈;該N型電流擴散層包含三層以上的子層,該些子層的通式可表示為Inx Aly Ga(1-x-y) N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1),並自該基板側朝該發光層側依序由低能隙層疊至高能隙。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
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