發光二極體結構 LED STRUCTURE
 專利名稱 |
發光二極體結構 LED STRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2010/05/10 (099010US) 2010/04/06 (099010TW) 2010/04/27 (099010CH) |
| 專利證書號 |
8,237,174 美國 I455355 中華民國 1150201 中國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、劉學興、陳鵬壬 |
| 技術摘要： |
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| 傳統的發光二極體係採用鎳金或鉻金合金做為P型電流擴散層15，藉以提升電流分布的均勻性。惟，鎳金或鉻金合金材質的P型電流擴散層15透光性不佳，必須限制其厚度介於數百Å以獲得較佳的透光效果。然而，過薄的厚度不易形成緻密穩定的薄膜，因此難以在均勻分散電流和透光要求下取得平衡。有鑑於此，本發明的目的在於解決上述問題，進而提出一種能提升N型區域電流擴散效果，降低N型區域片電阻值的發光二極體結構。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明有關一種發光二極體(light-emitting diode, LED)結構，尤指一種能增加電流分佈能力的發光二極體結構。 |
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| 應用領域： |
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| 照明設備、螢幕、車用照明 |
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| 適用產品： |
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| LED |
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| IPC： |
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| H01L-033/14(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體結構，包含： 一基板； 一N型半導體層，形成於該基板上； 一發光層，形成於該N型半導體層上； 一P型半導體層，形成於該發光層上； 其中，該N型半導體層中更包含至少一N型電流擴散層，用以使流經N型半導體層的電流均勻分佈；該N型電流擴散層包含三層以上的子層，該些子層的通式可表示為Inx Aly Ga(1-x-y) N (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1)，並自該基板側朝該發光層側依序由低能隙層疊至高能隙。 |
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| 相關圖片： |
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