具高崩潰電壓的半導體元件 (SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE)
 專利名稱 |
具高崩潰電壓的半導體元件 (SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE) |
| 申請日 (校編號) |
2012/08/09 (101007US) 2012/03/16 (101007TW) |
| 專利證書號 |
8,586,995 美國 I452676 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、李庚諺、劉學興 |
| 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 一種具高崩潰電壓的半導體元件，包含有一基底、一緩衝層、一半導體複合層以及一偏壓電極。緩衝層設於該基底上，並包含一第一高刃差排缺陷密度區域；半導體複合層設於緩衝層上，並包含一受第一高刃差排缺陷密度區域影響而形成的第二高刃差排缺陷密度區域；而偏壓電極設於半導體複合層上。據此，利用第一高刃差排缺陷密度區域與第二高刃差排缺陷密度區域形成一由缺陷能階捕捉電子的虛閘極效應而供半導體複合層形成一從該偏壓電極擴張的延伸空乏區，於偏壓電極受一逆向偏壓時，降低半導體元件所產生的漏電流，並增加半導體元件的崩潰電壓。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 解決的問題或達成的功效： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 以氮化鎵材料製作蕭基二極體以及電晶體元件時往往具有不佳的逆向漏電流與崩潰電壓特徵，為了達到低漏電流與高崩潰電壓的特性，習知增加一相反極性載子之防護環(guard ring)至蕭基二極體結構的技術已被證明，不過，由於製造此防護環通常需要額外的光罩步驟，且防護環佔有空間，使得具有防護環的蕭基二極體需要更多的表面空間，而不利元件縮小化的發展。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 應用領域： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電源分配模組 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 適用產品： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 功率整流器元件 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-027/04(2006.01);H01L-029/872(2006.01) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Claim 1： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| .一種具高崩潰電壓的半導體元件，包含有：一基底；一設於該基底上的緩衝層，該緩衝層包含一第一高刃差排缺陷密度區域；一設於該緩衝層上的半導體複合層，該半導體複合層包含一受該第一高刃差排缺陷密度區域影響而形成的第二高刃差排缺陷密度區域；以及一設於該半導體複合層上的偏壓電極；其中該第二高刃差排缺陷密度區於(0002)面的X光擺動曲線之半高寬值小於250秒弧，且於(1-102)面的X光擺動曲線之半高寬值介於500至2500秒弧之間。其中該第一高刃差排缺陷密度區域與該第二高刃差排缺陷密度區域形成一由缺陷能階捕捉電子的虛閘極效應而供該半導體複合層形成一從該偏壓電極擴張的延伸空乏區。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| 瀏覽人數：39644 |
與我連絡