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低耗損光耦合界面
專利名稱 低損耗光耦合界面之結構
申請日 (校編號) 2011/06/24  (100022TW)
專利證書號 I443395 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 盧鴻智、綦振瀛


技術摘要:
一種低損耗光耦合界面之結構,係在錐形矽波導之上,增加厚膜二氧化矽層,用以將光侷限在此厚膜二氧化矽層內,以防止光散失於空氣中,而被侷限在此厚膜二氧化矽層內之光場,將逐漸耦合至高折射率之矽波導之內,進而避免光散逸於空氣中形成光損失;如是,藉由錐形波導之寬度,以及厚膜二氧化矽層與波導層之總厚度,配合輸入光場之直徑,可讓光纖與晶片間之光模態尺寸完全匹配,進而可將光耦合損失降到最低;另外,本發明更可輔以氮化矽、光阻或聚合物層,或輔以光柵結構,或內縮錐形波導,提供六種不同結構供其選擇之多功能搭配,可以垂直晶片方向,亦可以平行晶片方向進行耦光,此具有尺寸短小、結構簡單及功能完整之元件結構,不僅可進一步提高耦光效率,更達到完全修正次微米矽波導與光纖之間之高耦光損失之缺點。

解決的問題或達成的功效:
本發明係有關於一種低損耗光耦合界面之結構,尤指涉及一種可應用於晶片間光互連之上,以次微米線寬之波導,與2微米之光纖,高效率地耦光,以將光耦合損失降到最低,特別係指包括六種不同之結構,具有多功能之搭配,能對應不同用途之運用,可以垂直晶片方向,亦可以平行晶片方向進行耦光,以降低次微米矽波導與光纖之間之高耦光損失之缺點者。

應用領域:
光通訊

適用產品:
光通訊晶片

IPC:
G02B-006/26(2006.01)

Claim 1:
1.一種低損耗光耦合界面之結構,係包括:一絕緣層上矽晶圓,係具有一矽基底;一埋入式二氧化矽層,係設置於該矽基底之上;一通道波導,係為一單模態次微米通道式光波導;一錐形波導,係設置於該二氧化矽層之上,由一平板區及一波導區所構成,其一端銜接晶片端面,另一端則將波導寬度縮減至單模態次微米通道式光波導之寬度,與該通道波導之一端相連接;以及一厚膜二氧化矽層,係設置於該錐形波導之上並覆蓋該波導區。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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