低耗損光耦合界面
 專利名稱 |
低損耗光耦合界面之結構 |
| 申請日 (校編號) |
2011/06/24 (100022TW) |
| 專利證書號 |
I443395 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
盧鴻智、綦振瀛 |
| 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 一種低損耗光耦合界面之結構，係在錐形矽波導之上，增加厚膜二氧化矽層，用以將光侷限在此厚膜二氧化矽層內，以防止光散失於空氣中，而被侷限在此厚膜二氧化矽層內之光場，將逐漸耦合至高折射率之矽波導之內，進而避免光散逸於空氣中形成光損失；如是，藉由錐形波導之寬度，以及厚膜二氧化矽層與波導層之總厚度，配合輸入光場之直徑，可讓光纖與晶片間之光模態尺寸完全匹配，進而可將光耦合損失降到最低；另外，本發明更可輔以氮化矽、光阻或聚合物層，或輔以光柵結構，或內縮錐形波導，提供六種不同結構供其選擇之多功能搭配，可以垂直晶片方向，亦可以平行晶片方向進行耦光，此具有尺寸短小、結構簡單及功能完整之元件結構，不僅可進一步提高耦光效率，更達到完全修正次微米矽波導與光纖之間之高耦光損失之缺點。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 解決的問題或達成的功效： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關於一種低損耗光耦合界面之結構，尤指涉及一種可應用於晶片間光互連之上，以次微米線寬之波導，與2微米之光纖，高效率地耦光，以將光耦合損失降到最低，特別係指包括六種不同之結構，具有多功能之搭配，能對應不同用途之運用，可以垂直晶片方向，亦可以平行晶片方向進行耦光，以降低次微米矽波導與光纖之間之高耦光損失之缺點者。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 應用領域： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 光通訊 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 適用產品： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 光通訊晶片 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| G02B-006/26(2006.01) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Claim 1： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種低損耗光耦合界面之結構，係包括：一絕緣層上矽晶圓，係具有一矽基底；一埋入式二氧化矽層，係設置於該矽基底之上；一通道波導，係為一單模態次微米通道式光波導；一錐形波導，係設置於該二氧化矽層之上，由一平板區及一波導區所構成，其一端銜接晶片端面，另一端則將波導寬度縮減至單模態次微米通道式光波導之寬度，與該通道波導之一端相連接；以及一厚膜二氧化矽層，係設置於該錐形波導之上並覆蓋該波導區。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| 瀏覽人數：44589 |
與我連絡