半導體光電元件之高反射性接觸電極及其製作方法
 專利名稱 |
半導體光電元件之高反射性接觸電極及其製作方法 |
| 申請日 (校編號) |
2010/11/19 (100090TW) |
| 專利證書號 |
I442607 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
陳一塵 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係有關一種半導體光電元件之高反射性接觸電極及其製作方法，其係位於半導體光電元件之一半導體層上，鍍覆一層包括有銀及鑭的金屬層，再做退火熱處理，以製成半導體光電元件之接觸電極，俾使半導體光電元件之接觸層具備高反射性、低接觸電阻及高熱穩定性質的特性者。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關一種半導體光電元件之高反射性接觸電極及其製作方法，尤指一種使半導體光電元件之接觸極具備高反射性、低接觸電阻及高熱穩定性質之技術。 |
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| 應用領域： |
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| 三族氮化物(GaN)系列的發光二極體(LED)的發光效能 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/62(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種半導體光電元件之高反射性接觸電極製作方法，其特徵為在該半導體光電元件之一半導體層上鍍覆一包括有銀及鑭的金屬層，再做退火熱處理，以製成該半導體光電元件之接觸電極，且該半導體層為三族氮化物半導體。 |
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| 相關圖片： |
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