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矽薄膜太陽能電池之製備方法Method for Manufacturing Silicon Thin-Film Solar Cells
專利名稱 矽薄膜太陽能電池之製備方法METHOD FOR MANUFACTURING SILICON THIN-FILM SOLAR CELLS
申請日 (校編號) 2012/01/04  (099074US)
2011/01/13  (099074TW)
專利證書號 8,679,892  美國
I437721 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 利定東、張正陽、陳昇暉、李正中


技術摘要:
本發明係有關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法,其包括:提供一基板;形成一第一電極於該基板上;藉由化學氣相沉積法,形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上;藉由化學氣相沉積法,形成一本質層於該第一摻雜半導體層上,其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層,而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙;藉由化學氣相沉積法,形成一第二摻雜半導體層於該本質層上,其中第一摻雜半導體層與第二摻雜半導體層中之其中一者為p型非晶矽層,而另一者為n型非晶/奈微晶矽層;以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。據此,本發明可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。

解決的問題或達成的功效:
提供一種矽薄膜太陽能電池之製備方法,俾能形成能隙漸變之光吸收層,可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。

應用領域:
關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法,尤指一種具有能隙漸變光吸收層之矽薄膜太陽能電池製備方法。

適用產品:
太陽能電池

IPC:
H01L-031/18(2006.01); H01L-031/042(2006.01)

Claim 1:
1.一種矽薄膜太陽能電池之製備方法,其包括:提供一基板;形成一第一電極於該基板上;藉由化學氣相沉積法,形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上;藉由化學氣相沉積法,形成一本質層於該第一摻雜半導體層上,其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層,而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙;藉由化學氣相沉積法,形成一第二摻雜半導體層於該本質層上,其中該第一摻雜半導體層與該第二摻雜半導體層中之其中一者為一p型非晶矽層,而另一者為一n型非晶/奈微晶矽層;以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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