矽薄膜太陽能電池之製備方法Method for Manufacturing Silicon Thin-Film Solar Cells
 專利名稱 |
矽薄膜太陽能電池之製備方法METHOD FOR MANUFACTURING SILICON THIN-FILM SOLAR CELLS |
| 申請日 (校編號) |
2012/01/04 (099074US) 2011/01/13 (099074TW) |
| 專利證書號 |
8,679,892 美國 I437721 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
利定東、張正陽、陳昇暉、李正中 |
| 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法，其包括：提供一基板；形成一第一電極於該基板上；藉由化學氣相沉積法，形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上；藉由化學氣相沉積法，形成一本質層於該第一摻雜半導體層上，其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層，而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙；藉由化學氣相沉積法，形成一第二摻雜半導體層於該本質層上，其中第一摻雜半導體層與第二摻雜半導體層中之其中一者為p型非晶矽層，而另一者為n型非晶/奈微晶矽層；以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。據此，本發明可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 解決的問題或達成的功效： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 提供一種矽薄膜太陽能電池之製備方法，俾能形成能隙漸變之光吸收層，可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 應用領域： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法，尤指一種具有能隙漸變光吸收層之矽薄膜太陽能電池製備方法。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 適用產品： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 太陽能電池 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/18(2006.01);
H01L-031/042(2006.01) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Claim 1： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種矽薄膜太陽能電池之製備方法，其包括：提供一基板；形成一第一電極於該基板上；藉由化學氣相沉積法，形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上；藉由化學氣相沉積法，形成一本質層於該第一摻雜半導體層上，其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層，而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙；藉由化學氣相沉積法，形成一第二摻雜半導體層於該本質層上，其中該第一摻雜半導體層與該第二摻雜半導體層中之其中一者為一p型非晶矽層，而另一者為一n型非晶/奈微晶矽層；以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| 瀏覽人數：39730 |
與我連絡