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可調式壓控虛擬電阻架構
專利名稱 可調式壓控虛擬電阻架構TUNABLE VOLTAGE-CONTROLLED PSEUDO-RESISTOR
申請日 (校編號) 2012/03/15  (100065US)
2011/09/16  (100065TW)
專利證書號 8,659,340 美國
I473424 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 薛木添、姚凱文、龔存雄


技術摘要:
一種可調式壓控虛擬電阻架構,係包含有一串聯且對稱的PMOS電晶體電路及一自我調控電路,該自我調控電路的輸入端為該PMOS電晶體電路的中央位置Vf輸出為Vg,目的是讓Vg-Vf保持固定值,該PMOS電晶體電路經由不同的bulk端電位,產生基體效應(body effect),透過該自我調控電路將Vg和Vf電壓維持一定,使此電晶體的電流產生互補作用,當電壓不論是Va>Vb或是Vb>Va,都會有一端維持大電阻特性。藉此可達到在大電壓輸入下還可保持恆定電阻值,可以限制共模電壓飄移的干擾,達到良好之功效。

解決的問題或達成的功效:
在生醫或音頻的類比前端電路 上,需要很大的電阻值來實現一個具有很低頻的極點(濾波器極點)來濾除頻帶外的雜訊。然而,不論使用一般外接的市售元件或是晶片內的制式元件,實現這種高電阻值是不符合成本效益。晶片上的被動元件是一個解決方法,但是非常耗面積。另外,將長length的MOS電晶體串連起來也可以達到高電阻,但一樣會造成一定面積上影響。

應用領域:
醫療器材之領域

適用產品:
醫療器材

IPC:
H03H-011/02(2006.01);H03F-001/56(2006.01);H03H-011/04(2006.01)

Claim 1:
1.一種可調式壓控虛擬電阻架構,係包含有一串聯且對稱的PMOS電晶體電路及一自我調控電路,該自我調控電路的輸入端為該PMOS電晶體電路的中央位置Vf輸出為Vg,目的是讓Vg-Vf保持固定值,並搭配一外部控制端(Vctrl)來改變Vg-Vf的差值,該PMOS電晶體電路經由不同的bulk端電位,產生基體效應(body effect)透過該自我調控電路將Vg和Vf電壓維持一定,使此電晶體的電流產生互補作用;該可調式壓控虛擬電阻架構之兩端子電壓分別為Va及Vb,當電壓不論是Va>Vb或是Vb>Va,該可調式壓控虛擬電阻架構之兩端子都會有一端維持大電阻特性。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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