可調式壓控虛擬電阻架構
 專利名稱 |
可調式壓控虛擬電阻架構TUNABLE VOLTAGE-CONTROLLED PSEUDO-RESISTOR |
| 申請日 (校編號) |
2012/03/15 (100065US) 2011/09/16 (100065TW) |
| 專利證書號 |
8,659,340 美國 I473424 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
薛木添、姚凱文、龔存雄 |
| 技術摘要： |
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| 一種可調式壓控虛擬電阻架構，係包含有一串聯且對稱的PMOS電晶體電路及一自我調控電路，該自我調控電路的輸入端為該PMOS電晶體電路的中央位置Vf輸出為Vg，目的是讓Vg-Vf保持固定值，該PMOS電晶體電路經由不同的bulk端電位，產生基體效應(body effect)，透過該自我調控電路將Vg和Vf電壓維持一定，使此電晶體的電流產生互補作用，當電壓不論是Va>Vb或是Vb>Va，都會有一端維持大電阻特性。藉此可達到在大電壓輸入下還可保持恆定電阻值，可以限制共模電壓飄移的干擾，達到良好之功效。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 在生醫或音頻的類比前端電路 上，需要很大的電阻值來實現一個具有很低頻的極點(濾波器極點)來濾除頻帶外的雜訊。然而，不論使用一般外接的市售元件或是晶片內的制式元件，實現這種高電阻值是不符合成本效益。晶片上的被動元件是一個解決方法，但是非常耗面積。另外，將長length的MOS電晶體串連起來也可以達到高電阻，但一樣會造成一定面積上影響。 |
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| 應用領域： |
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| 醫療器材之領域 |
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| 適用產品： |
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| 醫療器材 |
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| IPC： |
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| H03H-011/02(2006.01);H03F-001/56(2006.01);H03H-011/04(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種可調式壓控虛擬電阻架構，係包含有一串聯且對稱的PMOS電晶體電路及一自我調控電路，該自我調控電路的輸入端為該PMOS電晶體電路的中央位置Vf輸出為Vg，目的是讓Vg-Vf保持固定值，並搭配一外部控制端(Vctrl)來改變Vg-Vf的差值，該PMOS電晶體電路經由不同的bulk端電位，產生基體效應(body effect)透過該自我調控電路將Vg和Vf電壓維持一定，使此電晶體的電流產生互補作用；該可調式壓控虛擬電阻架構之兩端子電壓分別為Va及Vb，當電壓不論是Va>Vb或是Vb>Va，該可調式壓控虛擬電阻架構之兩端子都會有一端維持大電阻特性。 |
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