覆晶封裝結構及其製程
 專利名稱 |
覆晶封裝結構及其製程 PROCESS OF FABRICATING FLIP CHIP INTERCONNECTION STRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2002/10/01 (091003US) 2003/03/07 (091003US) 2002/06/19 (091003TW) |
| 專利證書號 |
6,642,079 美國 6,744,142 美國 189379 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、高振宏、王信介 |
| 技術摘要： |
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| 一種覆晶封裝結構及其製程，主要係藉由提供銅原子於含錫焊料中，並對含錫焊料進行迴焊的動作，含錫焊料與焊料金屬墊之間會形成一自生成介金屬化合物，本發明即是藉由此自生成介金屬化合物來抑制該焊料金屬墊的剝離現象。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 關於一種藉由焊料金屬墊與焊料反應所生成的介金屬化合物(IntermetallicCompound)來抑制剝離現象之覆晶封裝結構及其製程。 |
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| 應用領域： |
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| 覆晶封裝結構覆晶封裝(FlipChip Package)結構及其抑制剝離現象 |
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| 適用產品： |
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| 封裝 |
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| IPC： |
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| H01L-023/28(2006.01);
(IPC 1-7) : H01L-023/28 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種覆晶封裝結構,包括:
一晶片,該晶片具有一主動區域,而該主動區域上配置有複數個焊墊以及一用以保護該晶片表面並將該些焊墊暴露之保護層;
複數個焊料金屬墊,該些焊料金屬墊配置於該些焊墊上,其中每一該些焊料金屬墊包括一附著層以及一第一鎳薄膜;
一封裝基材,該封裝基材上配置有複數個連接墊;
複數個含錫凸塊,配置於該些焊墊與該些連接墊間,以使該些焊墊與該些連接墊電性連接;
一自生成介金屬化合物,該自生成介金屬化合物係於該些鎳薄膜與該些含錫凸塊之間自行生成;以及
一填膠底材,配置於該晶片與該封裝基材之間,並將該些含錫凸塊包覆。 |
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| 聯繫方式 |
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