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一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法 METHOD FOR USING AMMONIUM FLUORIDE SOLUTION IN A PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING PROCESS OF A SILICON WAFER
專利名稱 一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法 METHOD FOR USING AMMONIUM FLUORIDE SOLUTION IN A PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING PROCESS OF A SILICON WAFER
申請日 (校編號) 2003/09/30  (091009US)
2002/09/13  (091009TW)
專利證書號 6,852,643  美國
194901 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 林景崎、蔡志昌、賴建銘、蕭文助


技術摘要:
本發明係有關於一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法,其係將一試片於化學預蝕刻後以進行光電化學蝕刻,其主要步驟係至少包括:將經化學預蝕刻後之試片浸置於酒精中,以活化該試片之表面,置於氟化銨之蝕刻溶液,並在該試片背面施以鹵素燈照射,並以一定電位以進行光電化學蝕刻。本發明所製造一矩陣排列之深孔之矽晶片,可進一步做為製造超級電容(Super Capacitor)、化學感測器、過濾器及生物感測器等之應用。

解決的問題或達成的功效:
提供一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法,其係提供一利用氟化銨溶液以成為一安全性較高且快速之蝕刻溶液。 發明係有關於一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法,其尤指一種矽單晶之蝕刻加工技術,其係利用一氟化銨溶液及配合照射鹵素燈以進行光電化學蝕刻。

應用領域:
關於一種以氟化銨溶液應用於矽晶圓光電化學蝕刻加工之方法,其尤指一種矽單晶之蝕刻加工技術,其係利用一氟化銨溶液及配合照射鹵素燈以進行光電化學蝕刻。

適用產品:
矽晶圓

IPC:
C23F-001/00(2006.01);

Claim 1:
進行一表面改質步驟,以將該微載體之表面改質成一具有胺基之表面;以及

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
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