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熱遮罩及長晶設備 HEAT SHIELD AND CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT
專利名稱 熱遮罩及長晶設備 HEAT SHIELD AND CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT
申請日 (校編號) 2005/11/01  (093035US)
2004/11/04  (093035TW)
專利證書號 7,291,225 美國
I263713 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 陳志臣、陳炳忠、許國君、胡凡勳


技術摘要:
本熱遮罩設計概念為結合不同型式熱遮罩之優點,進而設計一複合式角度熱遮罩型式,第一段角度設計重點為針對如何加速冷卻晶棒溫度,且能有效壓縮微缺陷成核溫度區間的寬帶,而第二段角度的設計重點在於要如何增加軸向固液介面溫度梯度,能藉此增加晶體的拉速以及SiO之取走速率,以增加晶體之產能並減低污染。
產業化應用範圍:本熱遮罩的設計著重於產業界的實用性及應用性效果,本熱遮罩可以使用在生長各種尺寸矽單晶的爐體中,可以有效增加軸向固液介面溫度梯度,藉此可以大幅提升晶體的拉速,增加產能。
優點及與現有技術或類似產品之分析:可以大幅提升晶體的拉速,增加產能。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種矽晶圓製程的長晶設備及熱遮罩,且特別是有關於一種使用於柴式法的長晶設備及長度可調式複合角度熱遮罩。

應用領域:
關於一種矽晶圓製程的長晶設備及熱遮罩

適用產品:
矽晶圓


IPC:
C30B-035/00(2006.01);

Claim 1:
1.一種熱遮罩,適用於一柴式長晶設備中,該熱遮罩包括:
一懸臂,具有一水平表面;
一垂直壁,連接於該懸臂之該水平表面下,該垂直壁呈一圓筒形,並具有一第一長度;以及
一延伸片,可調整地配置在該垂直壁下,該延伸片呈一圓筒形,並具有一第二長度,該延伸片之底緣依序具有一第一斜面與一第二斜面,而該第一斜面與該垂直壁具有一第一鈍角,且該第二斜面與該垂直壁具有一第二鈍角,其中該第一鈍角小於該第二鈍角。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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