發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
 專利名稱 |
發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 申請日 (校編號) |
2004/12/29 (093069TW) |
| 專利證書號 |
I246784 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、許世杰 |
| 技術摘要： |
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| 一種發光二極體的製造方法，其包括下列步驟。首先，在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。然後，在第二型摻雜半導體層上形成一金層。提供一矽基板，並對於矽基板與金層進行一晶圓接合製程，然後移除磊晶基板。基於上述，本發明之發光二極體的製造方法能夠製造出具有較佳可靠度與較佳發光效率的發光二極體。特別地，本發明亦揭露一種發光二極體。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 提供一種發光二極體的製造方法，以製造出具有較佳介面接合強度的發光二極體。
此外，本發明的再一目的就是提供一種發光二極體，其具有較佳介面接合可靠度。 |
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| 應用領域： |
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| 關於一種二極體及其製造方法，且特別是有關於一種發光二極體及其製造方法。 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/00(2010.01);
(IPC 1-7) : H01L-033/00 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體的製造方法,包括:
在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層;
在該第二型摻雜半導體層上形成一金層;
提供一矽基板,並對於該矽基板與該金層進行一晶圓接合製程;以及
移除該磊晶基板。 |
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| 聯繫方式 |
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