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砷化鎵化合物半導體元件GaAs SEMICONDUCTOR DEVICE
專利名稱 砷化鎵化合物半導體元件GaAs SEMICONDUCTOR DEVICE
申請日 (校編號) 2002/04/19  (091006TW)
專利證書號 187051 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 詹益仁、邱顯欽、楊世丞、葉宗容


技術摘要:
一種砷化鎵化合物半導體元件,此砷化鎵化合物半導體元件包括一場效電晶體與一保護層。且此保護層係設置於場效電晶體之一表面上,以保護此場效電晶體的主動區表面。其中此場效電晶體可為高電子遷移率電晶體或是虛擬通道高電子遷移率電晶體,而保護層係使用低介電常數材質並使用旋轉塗佈的方式所形成,其材質可為苯並環丁烯。

解決的問題或達成的功效:
習知氮化矽保護層的形成方法,都是使用電漿增強型化學氣相沈積法)或是使用電子迴旋共振化學氣相沈積法等電漿沈積法所沈積,但是上述的沈積法皆會使主動區域表面受到電漿的傷害而受到輕微的破壞,再加上氮化矽的介電常數為6至8左右,因而導致元件的高頻特性會因表面覆蓋層而導致訊號損耗。 因此,本發明的目的在提供一種砷化鎵化合物半導體元件,以低介電常數材質作為砷化鎵化合物半導體元件之保護層,而能夠降低寄生電容效應。 本發明的另一目的在提供一種砷化鎵化合物半導體元件,採用旋轉塗佈的方式形成砷化鎵化合物半導體元件之保護層,因此能夠以較低的製程溫度形成保護層。 本發明的再一目的在提供一種砷化鎵化合物半導體元件,不使用電漿沈積法形成砷化鎵化合物半導體元件之保護層,而能夠降低元件主動表面由於電漿所導致的表面缺陷。 本發明的再另一目的在提供一種砷化鎵化合物半導體元件,採用旋轉塗佈的方式形成砷化鎵化合物半導體元件之保護層,而能夠降低製程的成本。

應用領域:
元件製程

適用產品:
電子晶片

IPC:
H01L-027/085(2006.01);H01L-027/105(2006.01);H01L-021/76(2006.01); (IPC 1-7) : H01L-027/085;H01L-027/105;H01L-021/76

Claim 1:
至少一檔板,配置於該全像底片前,係用於限制該全像底片之曝光區;

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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