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水平式累崩型光檢測器結構LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE
專利名稱 水平式累崩型光檢測器結構 LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE
申請日 (校編號) 2011/09/22  (100024US)
2011/07/26  (100024TW)
專利證書號 8,445,992 美國
I458111 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 辛裕明、周芳嬪、李姿瑩、王靖雯


技術摘要:
一種水平式累崩型光檢測器結構,包括基底、PN二極體及金屬層。基底具有水平排列的至少一第一電極區、至少一吸光區與至少一第二電極區,其中第一電極區亦為累崩區,且吸光區配置在第一電極區及第二電極區之間。PN二極體配置於第一電極區的基底中。金屬層配置於基底上,覆蓋第一電極區與第二電極區,但未覆蓋吸光區。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種半導體元件,且特別是有關於一種水平式累崩型光檢測器(avalanche photodiode,APD)結構。

應用領域:
光檢測器

適用產品:
水平式累崩型光檢測器

IPC:
H01L-031/107(2006.01)

Claim 1:
1.一種水平式累崩型光檢測器結構,包括:具有一第一導電型之一基底,具有水平排列的至少一第一電極區、至少一吸光區與至少一第二電極區,其中該第一電極區亦為累崩區,且該吸光區配置在該第一電極區及該第二電極區之間;一PN二極體,配置於該第一電極區的該基底中;以及一金屬層,配置於該基底上,覆蓋該第一電極區與該第二電極區,但未覆蓋該吸光區。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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