水平式累崩型光檢測器結構LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE
 專利名稱 |
水平式累崩型光檢測器結構 LATERAL AVALANCHE PHOTODIODE STRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2011/09/22 (100024US) 2011/07/26 (100024TW) |
| 專利證書號 |
8,445,992 美國 I458111 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
辛裕明、周芳嬪、李姿瑩、王靖雯 |
| 技術摘要： |
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| 一種水平式累崩型光檢測器結構，包括基底、PN二極體及金屬層。基底具有水平排列的至少一第一電極區、至少一吸光區與至少一第二電極區，其中第一電極區亦為累崩區，且吸光區配置在第一電極區及第二電極區之間。PN二極體配置於第一電極區的基底中。金屬層配置於基底上，覆蓋第一電極區與第二電極區，但未覆蓋吸光區。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明是有關於一種半導體元件，且特別是有關於一種水平式累崩型光檢測器(avalanche photodiode，APD)結構。 |
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| 應用領域： |
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| 光檢測器 |
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| 適用產品： |
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| 水平式累崩型光檢測器 |
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| IPC： |
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| H01L-031/107(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種水平式累崩型光檢測器結構，包括：具有一第一導電型之一基底，具有水平排列的至少一第一電極區、至少一吸光區與至少一第二電極區，其中該第一電極區亦為累崩區，且該吸光區配置在該第一電極區及該第二電極區之間；一PN二極體，配置於該第一電極區的該基底中；以及一金屬層，配置於該基底上，覆蓋該第一電極區與該第二電極區，但未覆蓋該吸光區。 |
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| 相關圖片： |
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| 聯繫方式 |
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