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一種次微米T型雙次閘極蝕刻的製作方法
專利名稱 一種次微米T型雙次閘極蝕刻的製作方法
申請日 (校編號) 2003/11/11  (092028TW)
專利證書號 I226668 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 詹益仁、胡明智、邱顯欽、楊世丞


技術摘要:
一種次微米T型雙次閘極蝕刻的製作方法,其提出一新的四層正光阻組合的方式,應用電子束微影系統單次定位曝光,便可形成T型閘極,可解決次微米場效應電晶體閘極電阻過高的問題,並利用雙次閘極蝕刻使增加積體電路的崩潰電壓與生命期及增加元件製造的良率。本發明的方法只需應用單次定位電子束曝光,並經顯影液雙次顯影後,即可形成次微米線寬的I型開口,來進行雙次閘極蝕刻,較習知技術的效率高,故具有進步性及產業上的利用價值。

解決的問題或達成的功效:
本發明的主要目的即在於提出一種次微米T型雙次閘極蝕刻的製作方法,其為利用四層正光阻結構,以單次定位電子束曝光,而形成場效應電晶體之T型雙次閘極蝕的方法,其中四層光阻是由電子束感光靈敏度及解析度不同之正光阻所構成,只需經電子柬二次曝光,經顆影液二次顯影後,即可使光阻形成T型開口,較之習知方法需要兩次定位曝光,可節省一次定位曝光時間,降低元件製造成本;且此四層正光阻形成之特殊T型開口,可利用雙次閘極蝕刻使增加積體電路的崩潰電壓與生命期及增加元件製造的良率。

應用領域:
元件製程

適用產品:
電子晶片

IPC:
H01L-021/336(2006.01); (IPC 1-7) : H01L-021/336

Claim 1:
1.一種次微米T型雙次閘極蝕刻的製作方法,適用於高速場效應電晶體元件,其包括下列步驟: (I)在一半導體基座上成長必要結構的磊晶層後,分別依序在該磊晶層上被覆第一層光阻、第二層光阻、第三層光阻及第四層光阻,其中第三層光阻的厚度大於第四層光阻的厚度,第四層光阻的厚度則小於第二層光阻的的厚度,而第一層光阻的厚度則小於或等於第二層光阻的的厚度,並且第三層光阻的電子束感光靈敏度大於第二層光阻和第四層光阻的感光靈敏度; (II)利用電子束單次定位曝光,同時曝光前述第一層光阻、第二層光阻、第三層光阻及第四層光阻; (III)以顯影液(1)顯影,去除前述第二層光阻、第三層光阻及第四層光阻的感光部分,而形成一T型開口; (IV)再一次以顯影液(2)顯影,去除T型開口下第一層光阻的感光部分不影響第二層光阻、第三層光阻及第四層光阻的感光部分,而形成一I型開口; (V)濕式蝕刻(wet etching)I型開口下的部分磊晶層; (VI)乾式蝕刻(dry etching)I型開口下的部分磊晶層; (VII)將金屬蒸鍍填充於T型開口中; (VIII)再去除剩餘的光阻,即可形成T型閘極。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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