半導體雷射元件之結構及其製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE STRUCTURE
 專利名稱 |
半導體雷射元件之結構及其製造方法 Method of manufacturing semiconductor laser device structure |
| 申請日 (校編號) |
2004/08/06 (092037US) 2004/04/06 (092037TW) |
| 專利證書號 |
7,445,949 美國 I229485 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、林宏誠、陳冠廷 |
| 技術摘要： |
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| 一種半導體雷射元件的製造方法，此方法提供一磊晶層結構，於磊晶層結構上形成第一罩幕層，以定義出脊狀結構的凸出區域。接著，於磊晶層結構上形成共形的第二罩幕層覆蓋第一罩幕層。再於第二罩幕層上形成第三罩幕層，以暴露出部分的第二罩幕層。之後，移除暴露出的第二罩幕層，並以第一與第三罩幕層作為蝕刻罩幕，移除部分磊晶層結構，以形成脊狀結構，再移除第三罩幕層與剩餘第二罩幕層。接著，於磊晶層結構上形成絕緣層。再移除第一罩幕層，以暴露出凸出區域的頂面。接著，於磊晶層結構上形成導體層與暴露出的凸出區域頂面相接觸。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明的目的是在提供一種半導體雷射元件的製造方法，可容忍較大的對準誤差，降低歐姆接觸電阻，增加熱散溢，進而增加半導體雷射元件之光性與電性。
本發明的再一目的是提供一種半導體雷射元件的製造方法，可同時製作P型電極與N型電極，並且簡化製程、提高良率。
本發明的又一目的是提供一種半導體雷射元件的結構，具有較低的歐姆接觸電阻。 |
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| 應用領域： |
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| 半導體雷射元件 |
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| 適用產品： |
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| 雷射 |
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| IPC： |
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| H01S-005/20(2006.01);
(IPC 1-7) : H01S-005/20 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種半導體雷射元件的製造方法,包括:
提供一磊晶層結構;
於該磊晶層結構上形成一第一罩幕層,以定義出一脊狀結構的一凸出區域;
於該磊晶層結構上形成共形的一第二罩幕層,覆蓋該第一罩幕層;
於該第二罩幕層上形成一第三罩幕層,以暴露出該第一罩幕層上方的部分該第二罩幕層;
移除暴露出的該第二罩幕層;
以該第一罩幕層與該第三罩幕層作為罩幕,移除部分該磊晶層結構,以形成該脊狀結構;
移除該第三罩幕層與剩餘的該第二罩幕層;
於該磊晶層結構上形成一絕緣層;
移除該第一罩幕層,以暴露出該凸出區域的頂面;以及
於該脊狀結構上形成一導體層,其中該導體層與暴露出的該凸出區域的頂面相接觸。 |
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| 聯繫方式 |
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