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半導體雷射元件之結構及其製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE STRUCTURE
專利名稱 半導體雷射元件之結構及其製造方法 Method of manufacturing semiconductor laser device structure
申請日 (校編號) 2004/08/06  (092037US)
2004/04/06  (092037TW)
專利證書號 7,445,949  美國
I229485 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、林宏誠、陳冠廷


技術摘要:
一種半導體雷射元件的製造方法,此方法提供一磊晶層結構,於磊晶層結構上形成第一罩幕層,以定義出脊狀結構的凸出區域。接著,於磊晶層結構上形成共形的第二罩幕層覆蓋第一罩幕層。再於第二罩幕層上形成第三罩幕層,以暴露出部分的第二罩幕層。之後,移除暴露出的第二罩幕層,並以第一與第三罩幕層作為蝕刻罩幕,移除部分磊晶層結構,以形成脊狀結構,再移除第三罩幕層與剩餘第二罩幕層。接著,於磊晶層結構上形成絕緣層。再移除第一罩幕層,以暴露出凸出區域的頂面。接著,於磊晶層結構上形成導體層與暴露出的凸出區域頂面相接觸。

解決的問題或達成的功效:
本發明的目的是在提供一種半導體雷射元件的製造方法,可容忍較大的對準誤差,降低歐姆接觸電阻,增加熱散溢,進而增加半導體雷射元件之光性與電性。 本發明的再一目的是提供一種半導體雷射元件的製造方法,可同時製作P型電極與N型電極,並且簡化製程、提高良率。 本發明的又一目的是提供一種半導體雷射元件的結構,具有較低的歐姆接觸電阻。

應用領域:
半導體雷射元件

適用產品:
雷射

IPC:
H01S-005/20(2006.01); (IPC 1-7) : H01S-005/20

Claim 1:
1.一種半導體雷射元件的製造方法,包括: 提供一磊晶層結構; 於該磊晶層結構上形成一第一罩幕層,以定義出一脊狀結構的一凸出區域; 於該磊晶層結構上形成共形的一第二罩幕層,覆蓋該第一罩幕層; 於該第二罩幕層上形成一第三罩幕層,以暴露出該第一罩幕層上方的部分該第二罩幕層; 移除暴露出的該第二罩幕層; 以該第一罩幕層與該第三罩幕層作為罩幕,移除部分該磊晶層結構,以形成該脊狀結構; 移除該第三罩幕層與剩餘的該第二罩幕層; 於該磊晶層結構上形成一絕緣層; 移除該第一罩幕層,以暴露出該凸出區域的頂面;以及 於該脊狀結構上形成一導體層,其中該導體層與暴露出的該凸出區域的頂面相接觸。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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