異質接面雙載子電晶體
 專利名稱 |
異質接面雙載子電晶體 |
| 申請日 (校編號) |
2004/07/15 (092039TW) |
| 專利證書號 |
I229452 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
辛裕明、潘俊廷、范振中 |
| 技術摘要： |
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| 一種異質接面雙載子電晶體，係由依序形成於一基底上的一集極層、一基極層以及一射極層所構成，其特徵在於基極層與集極層之接面具有一漸進成份區，其中漸進成份區的成份比例隨深度由基極層往集極層逐漸增加，並且於集極層內達到一最大值。因此，可藉此加大基極層靠近集極端的能帶傾斜，使得電子更容易掃入集極，降低電子在基極層中被復合的機率，而所產生之導電帶的不連續也可因漸進成份區進一步降低，如此可以使得電流增益增加，亦可提高元件的高頻響應。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 要在相同元件尺寸與製程下增加電流增益與高頻特性變得相當困難，所以如何減少電子在基極層中被復合的機率與提高電子在基極層中的速度已成為目前各界研究的重點。
本發明的目的就是在提供一種異質接面雙極性電晶體，可調整集極層靠近基極端的能帶，以提供較高電流增益特性並提供電子加速進入集極的特性。 |
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| 應用領域： |
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| 通訊 |
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| 適用產品： |
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| 高速電路、射頻系統和行動電話 |
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| IPC： |
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| H01L-029/737(2006.01);
(IPC 1-7) : H01L-029/737 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種異質接面雙極性電晶體,包括依序形成於一基底上的一集極層、一基極層以及一射極層,其特徵在於:
該基極層與該集極層之接面具有一漸進成份區,其中該漸進成份區的成份比例隨深度由該基極層往該集極層逐漸增加,並且於該集極層內達到一最大値。 |
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| 聯繫方式 |
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