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一種利用於氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體且擁有高選擇性及低表面破壞性的乾蝕刻閘極堀入製程方法
專利名稱 一種利用於氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體且擁有高選擇性及低表面破壞性的乾蝕刻閘極堀入製程方法
申請日 (校編號) 2004/05/28  (093009TW)
專利證書號 I243421 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 詹益仁、王文凱、李佑仁、林正國


技術摘要:
本發明係為一種利用於氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體且擁有高選擇性及低表面破壞性的乾蝕刻閘極堀入製程方法,其係利用傳統的氮化鎵乾蝕刻配方在加上氧氣並最佳化其比例後,應用於氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體(AlGaN/GaN HEMT)的閘極堀入技術(gate recess),而在最佳化其中各氣體(Ar/Cl2/CH4/O2=20/150/25/8 sccm)的比例後,此配方將於蝕刻後於氮化鋁鎵(AlGaN)的表面形成厚度小於10的氧化鋁(Al2O3)保護層,以阻止氮化鋁鎵繼續被蝕刻,經實驗得到其蝕刻選擇比可以到達16,更發現相較於傳統Ar/Cl2配方此配方由於會在蝕刻中行程氧化鋁保護層可以保護氮化鋁鎵的表面以減少繼續受到的電漿蝕刻所產生的表面性破壞,因此再由一般入熱回覆與蕭基二極體特性的比較上,可得知此配方有較低電流損耗與較佳的蕭基二極體特性,故得以省略以往利用傳統乾蝕刻過後所需的後段熱回覆製程,而此一優點也大大降低閘極堀入製程實現在氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體的製程複雜度,並且關於此保護層對於元件特性的也一併證實可以增加元間在直流和高頻的特性。

解決的問題或達成的功效:
本發明係為一種利用於氮化物高電子移導率場效電晶體且擁有高選擇性及低表面破壞性的乾蝕刻閘極堀入製程方法,尤指一種利用於氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率場效電晶體且擁有高選擇性及低表面破壞性的乾蝕刻閘極堀入製程方法。

應用領域:
高速元件

適用產品:
電子晶片

IPC:
H01L-021/3065(2006.01); (IPC 1-7) : H01L-021/3065

Claim 1:
(1)將鐵的鹽類溶解於水中,其濃度在小於或等於5M內;

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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