光二極體之結構
 專利名稱 |
光二極體之結構 |
| 申請日 (校編號) |
2004/09/02 (093014TW) |
| 專利證書號 |
I233705 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、許弘錢 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係為一種光二極體之結構，其結構為p-i-n磊晶層形成於半絕緣體基板上，其p-i-n磊晶層由P摻雜層、本質層、N摻雜層磊晶形成，在本質層(吸光層)中加入低生命載子週期的半導材料和一般單晶的半導體材料層，可降低電容，增加元件輸出功率，改善載子傳輸時間和本質層電容設計上的牴觸(trade-off)。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 目前高速光偵測器的發展中，所追求最重要的其中一個指標即是輸出功率-頻寬乘積，如第5圖所示，習用之光二極體之結構在高光功率照射操作時，其吸光層之電場因被內部光激發載子所感應的空間電場遮蔽造成載子移動速度變差，輸出電功率無法上升，雖可直接加大光二極體元件面積，來降低光激發載子濃度和其所感應的空間電場來增進輸出功率，但此舉會犧牲元件速度，加大晶片面積而增加成本。 因此，本發明之主要目的係在於提供一可降低電容、改善載子傳輸時間和本質層電容設計上的牴觸以及能使載子高速復合之光二極體之結構。 |
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| 應用領域： |
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| 光偵測器 |
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| 適用產品： |
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| 光偵測器 |
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| IPC： |
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| H01L-031/105(2006.01);
(IPC 1-7) : H01L-033/00 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種光二極體之結構,係至少包含:
一半絕緣體基板;
一N摻雜層,係由一第一N極金屬電極及一第二N極金屬電極形成於一N型接觸層之一端面的兩側,一N型包覆層形成於該第一N極金屬電極及該第二N極金屬電極之間;
一本質層,係由一低載子生命期區域形成於一第二本徵吸收區域上,一第一本徵吸收區形成於該低載子生命期區域之上;
一P摻雜層,係由一P極金屬電極形成於一P型接觸層上,該P型接觸層形成於一P型包覆層上;
其中,該P摻雜層磊晶成長於該本質層上,該本質層形成於該N摻雜層上,形成一p-i-n磊晶層,該p-i-n磊晶層之兩側分別設置一第一側璧保護層及一第二側璧保護層,且該p-i-n磊晶層形成於該半絕緣體基板上。 |
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| 聯繫方式 |
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