氮化鎵場效電晶體之感測器 Sensor Using GaN Transistor
 專利名稱 |
氮化鎵場效電晶體之感測器 Sensor Using GaN Transistor |
| 申請日 (校編號) |
2004/09/10 (093018TW) |
| 專利證書號 |
I241716 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
詹益仁、許晉瑋、王文凱 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係一種氮化鎵場效電晶體之感測器，係利用成長於矽基版的氮化鎵場效電晶體元件，透過利用微影製程或電漿蝕刻法，蝕刻掉氮化鎵場效電晶體元件背面的矽基版後形成薄膜式的氮化鎵場效電晶體元件，該薄膜式氮化鎵場效電晶體可作為壓力感測器，可利用氮化鎵之壓電效應特性提供極高的靈敏度，具有放大訊號之功能及最大的環境變異忍受能力，並且該壓力感測器可與IC積體化電路、矽半導體的微機電系統整合。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明是係為一種氮化鎵場效電晶體之感測器，特別是本發明利用電漿蝕刻法將背面矽基版蝕刻掉後形成薄膜式氮化鎵場效電晶體，可作為壓力感測器，並具有最大的環境變異忍受能力。 |
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| 應用領域： |
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| 感測器 |
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| 適用產品： |
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| 感測器 |
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| IPC： |
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| H01L-029/778(2006.01);
(IPC 1-7) : H01L-029/778 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種氮化鎵場效電晶體之感測器,係至少包含:
一中空矽基板;
一成核層,係形成於該中空矽基板上;
一緩衝層,係形成於該成核層上;
一蕭基層,係形成於該緩衝層上;
一源極及一汲極,係形成於該蕭基層上之兩端;
一閘極,係形成於該源極及該汲極之間。 |
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| 相關圖片： |
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| 聯繫方式 |
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