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半導體雷射元件及其製造方法
專利名稱 半導體雷射元件及其製造方法
申請日 (校編號) 2004/07/30  (093019TW)
專利證書號 I231633 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、林宏誠、陳冠廷


技術摘要:
一種半導體雷射元件的製造方法,主要包括下列步驟:首先,於一基底上提供一磊晶層結構。其次,於磊晶層結構上形成一層罩幕層,用以定義出一選擇性活化區域。接著,離子佈植磊晶層結構,以於選擇性活化區域以外的區域中形成一離子佈植區,此離子佈植區具有一個第一阻值。之後,去除罩幕層,再以高溫加熱法活化選擇性活化區域,同時使離子佈植區轉變成一層電流阻隔層。其中,電流阻隔層具有一個第二阻值,且第二阻值高於第一阻值。依此方法,可提供一平整的歐姆接觸層以簡化半導體雷射元件的製程,提高生產良率,並可避免電流擴散效應,提升元件性能。

解決的問題或達成的功效:
本發明的目的就是在提供一種半導體雷射元件的製造方法,可簡化製程、降低生產成本、提高生產良率以及有效避免電流擴散效應,進而增加半導體雷射元件之光性與電性。 本發明的再一目的就是在提供一種半導體雷射元件的製造方法,可使製程簡化、降低生產成本、提高生產良率,還可以有效避免電流擴散效應,進而增加半導體雷射元件之光性與電性。 本發明的又一目的就是在提供一種半導體雷射元件,可有效避免電流擴散效應,進而增加半導體雷射元件之光性與電性。

應用領域:
半導體雷射元件

適用產品:
雷射

IPC:
H01S-005/028(2006.01); (IPC 1-7) : H01S-005/028

Claim 1:
1.一種半導體雷射元件的製造方法,包括: 於一基底上提供一磊晶層結構; 於該磊晶層結構上形成一罩幕層,以定義出一選擇性活化區域; 離子佈植該磊晶層結構,以於該選擇性活化區域以外的區域中形成一離子佈植區,該離子佈植區具有一第一阻値; 去除該罩幕層;以及 以高溫加熱法活化該選擇性活化區域,同時使該離子佈植區轉變成一電流阻隔層,其中該電流阻隔層具有一第二阻値高於該第一阻値。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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