半導體雷射元件及其製造方法
 專利名稱 |
半導體雷射元件及其製造方法 |
| 申請日 (校編號) |
2004/07/30 (093019TW) |
| 專利證書號 |
I231633 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、林宏誠、陳冠廷 |
| 技術摘要： |
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| 一種半導體雷射元件的製造方法，主要包括下列步驟：首先，於一基底上提供一磊晶層結構。其次，於磊晶層結構上形成一層罩幕層，用以定義出一選擇性活化區域。接著，離子佈植磊晶層結構，以於選擇性活化區域以外的區域中形成一離子佈植區，此離子佈植區具有一個第一阻值。之後，去除罩幕層，再以高溫加熱法活化選擇性活化區域，同時使離子佈植區轉變成一層電流阻隔層。其中，電流阻隔層具有一個第二阻值，且第二阻值高於第一阻值。依此方法，可提供一平整的歐姆接觸層以簡化半導體雷射元件的製程，提高生產良率，並可避免電流擴散效應，提升元件性能。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明的目的就是在提供一種半導體雷射元件的製造方法，可簡化製程、降低生產成本、提高生產良率以及有效避免電流擴散效應，進而增加半導體雷射元件之光性與電性。
本發明的再一目的就是在提供一種半導體雷射元件的製造方法，可使製程簡化、降低生產成本、提高生產良率，還可以有效避免電流擴散效應，進而增加半導體雷射元件之光性與電性。
本發明的又一目的就是在提供一種半導體雷射元件，可有效避免電流擴散效應，進而增加半導體雷射元件之光性與電性。 |
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| 應用領域： |
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| 半導體雷射元件 |
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| 適用產品： |
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| 雷射 |
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| IPC： |
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| H01S-005/028(2006.01);
(IPC 1-7) : H01S-005/028 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種半導體雷射元件的製造方法,包括:
於一基底上提供一磊晶層結構;
於該磊晶層結構上形成一罩幕層,以定義出一選擇性活化區域;
離子佈植該磊晶層結構,以於該選擇性活化區域以外的區域中形成一離子佈植區,該離子佈植區具有一第一阻値;
去除該罩幕層;以及
以高溫加熱法活化該選擇性活化區域,同時使該離子佈植區轉變成一電流阻隔層,其中該電流阻隔層具有一第二阻値高於該第一阻値。 |
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| 聯繫方式 |
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