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以導納軌跡圖做薄膜成長之光學監控方法
專利名稱 以導納軌跡圖做薄膜成長之光學監控方法
申請日 (校編號) 2005/01/12  (093044TW)
專利證書號 I258563 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 李正中、陳裕仁、郭倩丞、唐謙仁、晏少峰


技術摘要:
本發明先取得薄膜的預期導納圖;在薄膜成長時,即時擷取其光學訊號;再將光學訊號即時運算取得即時導納圖,如此可看出薄膜的光學特性與厚度的變化,且可對預期與即時的差異處作出補償。
產業化應用範圍:光學鍍膜公司、光學鍍膜機製造商。
優點及與現有技術或類似產品之分析:薄膜之監控方便,容易判斷停鍍點,降低最後鍍膜結果的誤差。


解決的問題或達成的功效:
一傳輸介面,係傳遞該多組差動4-脈衝振幅調變信號;

應用領域:


適用產品:


IPC:


Claim 1:


聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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