以導納軌跡圖做薄膜成長之光學監控方法
 專利名稱 |
以導納軌跡圖做薄膜成長之光學監控方法 |
| 申請日 (校編號) |
2005/01/12 (093044TW) |
| 專利證書號 |
I258563 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
李正中、陳裕仁、郭倩丞、唐謙仁、晏少峰 |
| 技術摘要： |
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| 本發明先取得薄膜的預期導納圖；在薄膜成長時，即時擷取其光學訊號；再將光學訊號即時運算取得即時導納圖，如此可看出薄膜的光學特性與厚度的變化，且可對預期與即時的差異處作出補償。 產業化應用範圍：光學鍍膜公司、光學鍍膜機製造商。 優點及與現有技術或類似產品之分析：薄膜之監控方便，容易判斷停鍍點，降低最後鍍膜結果的誤差。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 一傳輸介面,係傳遞該多組差動4-脈衝振幅調變信號; |
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| 應用領域： |
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| 適用產品： |
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| IPC： |
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| Claim 1： |
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| 聯繫方式 |
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