具磊晶強化層之覆晶發光二極體及其製造方法 Flip chip light emitting diode with epitaxial strengthening layer and manufacturing method thereof
 專利名稱 |
具磊晶強化層之覆晶發光二極體及其製造方法 Flip chip light emitting diode with epitaxial strengthening layer and manufacturing method thereof |
| 申請日 (校編號) |
2008/08/21 (097024TW) |
| 專利證書號 |
I371120 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、張祐銜、蔣孝澈 |
| 技術摘要： |
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| 本發明關於一種具磊晶強化層之覆晶發光二極體及其製造方法，具磊晶強化層之覆晶發光二極體之主要結構在於其磊晶結構連接一磊晶強化層，且具磊晶強化層之覆晶發光二極體之製造方法，其主要步驟在於形成一磊晶強化層於磊晶結構。本發明能強化覆晶發光二極體之磊晶結構，如此能避免用雷射輔助剝離技術或其他技術移除基板時，所造成之磊晶結構的破裂。又，磊晶強化層之熱膨脹係數與磊晶層之熱膨脹係數有良好的匹配度，故能避免元件受到多次熱循環後，因熱膨脹係數不匹配所產生之應力，進而提升該具磊晶強化層之覆晶發光二極體之可靠度。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種具磊晶強化層之覆晶發光二極體及其製造方法，其係應用於強化覆晶發光二極體之磊晶結構的領域。 |
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| 應用領域： |
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| 強化覆晶發光二極體之磊晶結構的領域 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種具磊晶強化層之覆晶發光二極體之製造方法，其步驟包括：於一基板上形成一磊晶結構；於該磊晶結構上分別形成一p型電極及一n型電極；形成一磊晶強化層於該磊晶結構上，並於該p型電極及該n型電極上方各形成一金屬凸塊容置區；在該p型電極及該n型電極上各形成一金屬凸塊於該金屬凸塊容置區內，且該二金屬凸塊部分突出於該磊晶強化層外形成一具磊晶強化層之發光二極體結構；將該具磊晶強化層之發光二極體結構倒裝接合於一基座上；及移除該基板，形成一具磊晶強化層之覆晶發光二極體。 |
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