三次轉導互補消除法及其高線性度混波器
 專利名稱 |
三次轉導互補消除法及其高線性度混波器 |
| 申請日 (校編號) |
2008/01/03 (096084TW) |
| 專利證書號 |
I344261 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
詹益仁、梁恭豪、張鴻埜 |
| 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 一種三次轉導互補消除法及其高線性度混波器，係從電路裡最基本之電晶體做線性度之改善，並可在增加電路操作穩定性之同時，不會增加電路之複雜度或降低其它電路特性。以利用三次轉導互補消除之方式得到一高線性度之電晶體，並將此特性良好之電晶體應用於混波器轉導輸入級之設計，如此可以有效改善混波器之非線性特徵以提高線性度。此外，高線性度之電晶體也可應用於其它系統上不同射頻之子電路，如低雜訊放大器或功率放大器等，係具有寬頻操作，可處理不同系統規格所規劃之頻率，包含藍芽規格、無線區域網路及超寬頻(Ultra-Wide Band,UWB)系統等頻段規格。藉此可廣泛應用於收發機模組上，並可使用低成本互補式金氧半場效電晶體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)製程實現此電路，以增加其實用性。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 解決的問題或達成的功效： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明之主要目的係在於，從電路裡最基本之電晶體做線性度之改善，以利用三次轉導互補消除之方式得到一高線性度之電晶體，並將此特性良好之電晶體應用於混波器轉導輸入級之設計，如此可以有效改善混波器之非線性特徵以提高線性度，並可在增加電路操作穩定性之同時，不會增加電路之複雜度或降低其它電路特性。
本發明之次要目的係在於，高線性度之電晶體也可應用於其它系統上不同射頻之子電路，如低雜訊放大器或功率放大器等，係具有寬頻操作，可處理不同系統規格所規劃之頻率，包含藍芽規格、無線區域網路及超寬頻(Ultra-Wide Band,UWB)系統等頻段規格。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 應用領域： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 通訊 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 適用產品： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 收發機模組 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| H03D-007/00(2006.01) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Claim 1： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種三次轉導互補消除法，其至少包含以下步驟：(A)對至少二電晶體之基體端(Body)給定一個偏壓，根據一基體效應方程式，該些電晶體之門檻電壓(Threshold voltage)受到其基體端電壓之影響改變，使最終三次轉導之正負峰值(Peak Value)位移至不同位置處；以及(B)將此具有三次轉導(正負)值之電晶體予以並聯之方式結合。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| 瀏覽人數：38189 |
與我連絡