技術摘要: |
一種三次轉導互補消除法及其高線性度混波器,係從電路裡最基本之電晶體做線性度之改善,並可在增加電路操作穩定性之同時,不會增加電路之複雜度或降低其它電路特性。以利用三次轉導互補消除之方式得到一高線性度之電晶體,並將此特性良好之電晶體應用於混波器轉導輸入級之設計,如此可以有效改善混波器之非線性特徵以提高線性度。此外,高線性度之電晶體也可應用於其它系統上不同射頻之子電路,如低雜訊放大器或功率放大器等,係具有寬頻操作,可處理不同系統規格所規劃之頻率,包含藍芽規格、無線區域網路及超寬頻(Ultra-Wide Band,UWB)系統等頻段規格。藉此可廣泛應用於收發機模組上,並可使用低成本互補式金氧半場效電晶體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)製程實現此電路,以增加其實用性。
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解決的問題或達成的功效: |
本發明之主要目的係在於,從電路裡最基本之電晶體做線性度之改善,以利用三次轉導互補消除之方式得到一高線性度之電晶體,並將此特性良好之電晶體應用於混波器轉導輸入級之設計,如此可以有效改善混波器之非線性特徵以提高線性度,並可在增加電路操作穩定性之同時,不會增加電路之複雜度或降低其它電路特性。
本發明之次要目的係在於,高線性度之電晶體也可應用於其它系統上不同射頻之子電路,如低雜訊放大器或功率放大器等,係具有寬頻操作,可處理不同系統規格所規劃之頻率,包含藍芽規格、無線區域網路及超寬頻(Ultra-Wide Band,UWB)系統等頻段規格。
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應用領域: |
通訊
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適用產品: |
收發機模組
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IPC: |
H03D-007/00(2006.01)
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Claim 1: |
1.一種三次轉導互補消除法,其至少包含以下步驟:(A)對至少二電晶體之基體端(Body)給定一個偏壓,根據一基體效應方程式,該些電晶體之門檻電壓(Threshold voltage)受到其基體端電壓之影響改變,使最終三次轉導之正負峰值(Peak Value)位移至不同位置處;以及(B)將此具有三次轉導(正負)值之電晶體予以並聯之方式結合。
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