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氮化物半導體材料之成長方法 METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
專利名稱 氮化物半導體材料之成長方法 METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
申請日 (校編號) 2008/01/15  (096079US)
2007/12/20  (096079TW)
專利證書號 7,608,532  美國
I345320 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、林宏誠


技術摘要:
知在成長發光二極體時,容易有相位分離、錯位缺陷的產生、無法提高發光二極體之發光強度及生產良率等缺點;因此,發明人依據多年來從事此課題之相關經驗,乃經過長久努力研究與實驗,並配合相關學理,終於開發設計出本發明之一種「氮化物半導體材料之成長方法」。
此氮化銦(InN)處理成長方法就像引入一介面活性劑,故該方法也可應用於具有異質接面之氮化物半導體電子元件(如:異質接面電晶體(HBT)、高電子遷移率電晶體(HEMT))及高崩潰電壓的整流二極體等,由於可大幅提升異質接面半導體材料之平坦度,故可提升其元件之性能,並於相關之產業(如:發光二極體(LED)廠商、光電半導體廠等)皆極具應用價值性。

解決的問題或達成的功效:
本發明為提供一種氮化物半導體材料之成長方法,更有關於一種能提高該氮化物半導體材料平坦度之成長方法,及減少材料內V型缺陷之密度。該方法不但可以提升發光元件(如:發光二極體(LED)、雷射二極體(LD))之發光效率,更可以大幅地提高生產良率。

應用領域:
發光二極體、光電半導體

適用產品:
LED

IPC:
H01L21/36

Claim 1:
1.一種氮化物半導體材料之成長方法,尤指一種成長氮化銦處理之發光主動層之成長方法,係在氮化物半導體成長過程中,將一三甲基銦(TMIn)與一氨氣(NH3)通入一腔體以成長一氮化銦處理層,以降低表面缺陷及粗糙度,該氮化銦處理層之成長方法,可應用在多種氮化物半導體元件上;另,該氮化銦處理層之成長步驟,係依下列步驟:將一三乙基鎵(TEGa)及該氨氣(NH3)通入一腔體以成長一第一氮化鎵層;將該三甲基銦(TMIn)進入該腔體以成長一氮化銦鎵量子井層;關閉該三乙基鎵(TEGa)並保留該三甲基銦(TMIn)及該氨氣(NH3)以成長一氮化銦處理層,用以降低表面缺陷及粗糙度;關閉該三甲基銦(TMIn),並將該三乙基鎵(TEGa)通入該腔體以成長一第二氮化鎵層。

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