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技術摘要：

知在成長發光二極體時，容易有相位分離、錯位缺陷的產生、無法提高發光二極體之發光強度及生產良率等缺點；因此，發明人依據多年來從事此課題之相關經驗，乃經過長久努力研究與實驗，並配合相關學理，終於開發設計出本發明之一種「氮化物半導體材料之成長方法」。
此氮化銦(InN)處理成長方法就像引入一介面活性劑，故該方法也可應用於具有異質接面之氮化物半導體電子元件(如：異質接面電晶體(HBT)、高電子遷移率電晶體(HEMT))及高崩潰電壓的整流二極體等，由於可大幅提升異質接面半導體材料之平坦度，故可提升其元件之性能，並於相關之產業(如：發光二極體(LED)廠商、光電半導體廠等)皆極具應用價值性。

解決的問題或達成的功效：

本發明為提供一種氮化物半導體材料之成長方法，更有關於一種能提高該氮化物半導體材料平坦度之成長方法，及減少材料內V型缺陷之密度。該方法不但可以提升發光元件(如：發光二極體(LED)、雷射二極體(LD))之發光效率，更可以大幅地提高生產良率。

應用領域：

發光二極體、光電半導體

適用產品：

LED

IPC：

H01L21/36

Claim 1：

1.一種氮化物半導體材料之成長方法，尤指一種成長氮化銦處理之發光主動層之成長方法，係在氮化物半導體成長過程中，將一三甲基銦(TMIn)與一氨氣(NH3)通入一腔體以成長一氮化銦處理層，以降低表面缺陷及粗糙度，該氮化銦處理層之成長方法，可應用在多種氮化物半導體元件上；另，該氮化銦處理層之成長步驟，係依下列步驟：將一三乙基鎵(TEGa)及該氨氣(NH3)通入一腔體以成長一第一氮化鎵層；將該三甲基銦(TMIn)進入該腔體以成長一氮化銦鎵量子井層；關閉該三乙基鎵(TEGa)並保留該三甲基銦(TMIn)及該氨氣(NH3)以成長一氮化銦處理層，用以降低表面缺陷及粗糙度；關閉該三甲基銦(TMIn)，並將該三乙基鎵(TEGa)通入該腔體以成長一第二氮化鎵層。

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專利名稱	氮化物半導體材料之成長方法 METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL
申請日 (校編號)	2008/01/15 (096079US) 2007/12/20 (096079TW)
專利證書號	7,608,532 　美國 I345320　中華民國
專利權人	國立中央大學
發明人	綦振瀛、林宏誠