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銻鋁砷化銦鎵與砷化銦鎵之集基異質接面雙極性電晶體 Heterojunction Bipolar Transistor Having (IN)(AL) Gaassb/Ingaas Base-Collector Structure
專利名稱 銻砷化銦鋁鎵與砷化銦鎵之集基異質接面雙極性電晶體
Heterojunction Bipolar Transistor Having (IN)(AL) Gaassb/Ingaas Base-Collector Structure
申請日 (校編號) 2007/06/07  (095054US)
2007/01/18  (095054TW)
專利證書號 7,705,361  美國
I341029 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、王聖瑜、陳書涵


技術摘要:
一種銻砷化銦鋁鎵與砷化銦鎵之集基異質接面雙極性電晶體,係利用銻砷化銦鋁鎵與砷化銦鎵不連續之導電帶,在異質接面電晶體之集基接面處形成內建電場,可有效提高電子注入集極結構時之速度,且不連續之價電帶,在高電流注入時,可避免電洞由基極注入集極,有效增加電流密度,又較小之射基接面導通電壓可降低元件之靜態功率損耗,讓元件被應用得更高速及更高功率。另外,此一結構亦可延伸至目前被廣為使用之複合集極結構中,在相同之集極結構下,使用銻砷化銦鋁鎵做為基極材料之元件,以在相同之集基反偏下,會有較小之電流阻擋效應,而獲得較高之電流密度及截止頻率,並可同時維持良好之崩潰特性。

解決的問題或達成的功效:
本發明係有關於一種銻砷化銦鋁鎵與砷化銦鎵之集基異質接面雙極性電晶體,尤指一種可發展出具有高截止頻率及低功率散逸等優良特性之元件。

應用領域:
高速元件

適用產品:
異質接面雙極性電晶體

IPC:
H01L-029/737(2006.01)

Claim 1:
1.一種銻砷化銦鋁鎵與砷化銦鎵之集基異質接面雙極性電晶體,係包括:一基板;一次集極接觸層,係成長在該基板上;一集極結構,係成長在該次集極接觸層上,該集極結構之材料係為砷化銦鎵、銻砷化銦鎵、磷砷化銦鎵或鋁砷化銦鎵中擇其一;一基極結構,係成長在該集極結構上,該基極結構之材料係為銻砷化鎵(GaAsl-xSbx)、銻砷化銦鎵(InyGal-yAsl-zSbz)、銻鋁砷化鎵(AlaGal-aAsl-bSbb)或銻砷化銦鎵(IncGal-cAsdSbl-d),其中,x係為0.3~0.8、y係為0.63~0,z係為0~0.8,a係為0~1,b係為0.3~0.8,c係為0.53~0.63,d係為0.3~0.8;一射極結構,係成長在該基極結構上;一射極接觸層,係成長在該射極結構上。

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