串接陣列式高速綠光發光二極體
 專利名稱 |
串接陣列式高速綠光發光二極體 Method of fabricating linear cascade high-speed green light emitting diode |
| 申請日 (校編號) |
2007/11/16 (096018US) 2007/05/03 (096018TW) |
| 專利證書號 |
7,674,642 美國 I332272 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、許進恭、伍茂仁、王俊凱、陳正雄、綦振瀛 |
| 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 一種串接陣列式高速綠光發光二極體，其製造方法係先選擇一基板，並在該基板上成長一由p型摻雜區及n型摻雜區包圍之綠光多波長量子井，以形成一pn二極體結構，且該pn二極體結構以串接之方式將每一顆pn二極體結構串接在一起後，並可進一步於串接後之結構元件表面加上一介電質之多層膜或單層膜，亦或直接蝕刻於該結構元件表面，以修正其輸出光場，進而形成一具有週期性微結構之發光二極體。藉此，利用中心波長之不同及串接陣列式結構，使其具有傳播損耗小及較寬之頻寬，並由於使用了氮化鎵之發光二極體具有較大之順向偏壓，不僅不需額外之驅動電流源，且亦不需成長複雜之共振腔磊晶層結構，即可達成高速、高效率及高功率之目標，以改善電流分佈不均之缺點。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 解決的問題或達成的功效： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關於一種串接陣列式高速綠光發光二極體，尤指一種利用中心波長之不同及串接陣列式結構，使其傳播損耗小及有較寬之頻寬，在不需成長複雜之共振腔磊晶層結構下，即可達成高速、高效率及高功率之目標。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 應用領域： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 光通訊 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 適用產品： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 塑膠光纖通信系統 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-027/15(2006.01);H01L-033/06(2010.01); H01L-033/00(2010.01) |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Claim 1： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種串接陣列式高速綠光發光二極體，其製造方法至少包括下列步驟：(A)選擇一基板；(B)在該基板上成長一由p型摻雜區及n型摻雜區包圍之綠光多波長量子井，以形成一pn二極體結構；以及(C)將該pn二極體結構之區域以串接之方式將每一顆pn二極體結構之p型摻雜區和另一顆pn二極體結構之n型摻雜區串接在一起。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| 瀏覽人數：74574 |
與我連絡