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發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
 
專利名稱 發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請日 2005/12/05
2005/11/07
專利證書號 I248222 中華民國
I253770 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 劉正毓、許世杰
 

技術摘要:
一種發光二極體的製造方法,包含下列步驟。首先在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。然後在第二型摻雜半導體層上形成一金層。提供一接合基板,此接合基板包括一矽基板與配置於矽基板上的一含鍺材料層。之後,以此接合基板與金層進行一接合製程。然後,移除磊晶基板。基於上述,本發明之發光二極體的製造方法能夠製造具有較佳可靠度與較佳發光效率的發光二極體。特別地,本發明也揭露一種發光二極體。

解決的問題或達成的功效:
製造出具有較佳介面接合強度的發光二極體。 此外,本發明的再一目的就是提供一種發光二極體,其具有較佳介面接合可靠度。

應用領域:
有關於一種二極體及其製造方法,且特別是有關於一種發光二極體及其製造方法。

適用產品:
發光二極體

IPC:
H01L-033/00(2010.01);H01L-033/44(2010.01); (IPC 1-7) : H01L-033/00

Claim 1:
1.一種發光二極體的製造方法,包括: 在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層; 在該第二型摻雜半導體層上形成一第一透明導電層; 提供一轉移基板,並在該轉移基板上形成一第二透明導電層; 對於該磊晶基板與該轉移基板進行一晶圓接合製程,以使該第一透明導電層與該第二透明導電層結合;以及 移除該磊晶基板。


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地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
 



              
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