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具低導通電壓與高崩潰電壓之氮化鎵蕭基二極體
專利名稱 DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請日 (校編號) 2016/02/10  (104044US)
2015/04/24  (104044TW)
2015/04/24  (104044CH)
專利證書號 9,640,672 美國
I560890 中華民國
106158984 B 中國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、王柏翔、楊竣傑、李庚諺


技術摘要:


聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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