具低導通電壓與高崩潰電壓之氮化鎵蕭基二極體
 專利名稱 |
DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 申請日 (校編號) |
2016/02/10 (104044US) 2015/04/24 (104044TW) 2015/04/24 (104044CH) |
| 專利證書號 |
9,640,672 美國 I560890 中華民國 106158984 B 中國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、王柏翔、楊竣傑、李庚諺 |
| 技術摘要： |
||||||||
| 聯繫方式 |
||||||||
|
||||||||
|
| 瀏覽人數：79741 |
與我連絡