技術媒合網

國際產業聯盟


    快速搜尋        

氮化物半導體元件
專利名稱 半導體裝置及其製作方法SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
申請日 (校編號) 2016/05/12  (104042US)
2016/05/12  (104042TW)
專利證書號 10,283,631 美國
I621265 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、楊竣傑、李庚諺


技術摘要:
本揭露之一態樣係提供一種半導體裝置。該半導體裝置,包含:一通道層、一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有一厚度t1、一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。本揭露之另一態樣係提供一種製造半導體裝置之方法。該方法包括形成一通道層於一基板之上;形成一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有一厚度t1;形成一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。

解決的問題或達成的功效:


應用領域:
本揭露提供一種製造半版導體裝置之方法。該方法包括形成一通道層於一基板之上;形成一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有厚度t1;形成一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有厚度t2。該厚度需界於0.5×t1≦t2≦3×t1。

適用產品:
半導體元件

IPC:
H01L-029/20(2006.01);H01L-029/205(2006.01);H01L-029/40(2006.01);H01L-029/66(2006.01);H01L-029/778(2006.01);H01L-021/334(2006.01)

Claim 1:
1.一種半導體裝置,其包含:一通道層;一AlxIn1-xN層,其係位於該通道層之上且具有一厚度t1,一反極化層,其係位於該AlxIn1-xN層之上且具有一厚度t2,其中,0.5×t1≦t2≦3×t1,0
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
瀏覽人數:27333