氮化物半導體元件
 專利名稱 |
半導體裝置及其製作方法SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME |
| 申請日 (校編號) |
2016/05/12 (104042US) 2016/05/12 (104042TW) |
| 專利證書號 |
10,283,631 美國 I621265 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、楊竣傑、李庚諺 |
| 技術摘要： |
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| 本揭露之一態樣係提供一種半導體裝置。該半導體裝置，包含：一通道層、一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有一厚度t1、一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。本揭露之另一態樣係提供一種製造半導體裝置之方法。該方法包括形成一通道層於一基板之上；形成一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有一厚度t1；形成一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 應用領域： |
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| 本揭露提供一種製造半版導體裝置之方法。該方法包括形成一通道層於一基板之上；形成一AlxIn1-xN層在該通道層之上且有厚度t1；形成一反極化層在該AlxIn1-xN層之上且有厚度t2。該厚度需界於0.5×t1≦t2≦3×t1。 |
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| 適用產品： |
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| 半導體元件 |
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| IPC： |
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| H01L-029/20(2006.01);H01L-029/205(2006.01);H01L-029/40(2006.01);H01L-029/66(2006.01);H01L-029/778(2006.01);H01L-021/334(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種半導體裝置，其包含：一通道層；一AlxIn1-xN層，其係位於該通道層之上且具有一厚度t1，一反極化層，其係位於該AlxIn1-xN層之上且具有一厚度t2，其中，0.5×t1≦t2≦3×t1，0 |
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| 聯繫方式 |
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