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薄膜形成設備及其形成方法 Apparatus and Method for Thin Film
專利名稱 薄膜形成設備及薄膜形成方法
申請日 (校編號) 2014/09/30  (103047TW)
專利證書號 I564419 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 郭倩丞、李正中、李孟錡、何正榮


技術摘要:
一種薄膜形成設備,包含有一腔體具有一容室可抽真空;一載台設於該腔體的容室,供裝設待鍍物;一供氣裝置對該腔體的容室提供氧氣及/或氬氣;一有機單體供應裝置係對該腔體的容室提供有機單體;一濺鍍槍設於該腔體的容室;一靶材設於該腔體的容室,供該濺鍍槍對其施加電源。本發明還提供一種使用所述薄膜形成設備的薄膜形成方法。

解決的問題或達成的功效:
本發明之主要目的在於提供一種薄膜形成設備及薄膜形成方法,其使用有機無機材料混合於同一腔體中鍍製阻水性與柔軟度皆優異之單層膜。 

應用領域:
本發明係與薄膜形成有關,特別是指一種薄膜形成設備與薄膜形成方法。 

適用產品:
薄膜

IPC:
C23C-014/34(2006.01);C23C-014/54(2006.01)

Claim 1:
1.一種薄膜形成設備,包含有:一腔體(10),具有一容室(11)可抽真空;一載台(20),設於該腔體(10)的容室(11),供裝設待鍍物;一供氣裝置(30),對該腔體(10)的容室(11)提供氧氣及/或氬氣;一有機單體供應裝置(40),係對該腔體(10)的容室(11)提供有機單體;一濺鍍槍(60),設於該腔體(10)的容室(11);一靶材(70),設於該腔體(10)的容室(11),供該濺鍍槍(60)對其施加電源;其中該有機單體為六甲基矽氧烷(Hexamethyldisiloxane,HMDSO)、四乙氧矽烷(Tetraethoxysilane,TEOS)、壓克力(Acrylic)、乙醯基三甲基矽烷(Acetyltrimethylsilane,ATMS)或四甲基二乙烯基二矽氧烷(Divinyltetramethyldisiloxare,DVTMDSO)。 

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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