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利用電子迴旋共振化學氣相沉積法低溫磊晶成長鍺於矽基板上 Low Temperature Epitaxial Growth of Germanium on Silicon Preapred by Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition Methhod
專利名稱 在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法 Method for Eitaxial Growing Germanium Film on Silicon Substrate
申請日 (校編號) 2014/08/21  (103015TW)
專利證書號 I556285 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 張正陽、李建階、張登翔、張喬、利定東、陳一塵、伍茂仁、陳昇暉


技術摘要:
一種在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法,包括:提供矽基板;將矽基板置入真空腔體;將矽基板加熱至具有一溫度,其中上述溫度小於300℃;以及於上述真空腔體中,利用電子迴旋共振化學氣相沉積法形成單晶鍺薄膜於上述矽基板上,包括:利用微波源將通入上述真空腔體之反應氣體進行解離,以沉積單晶鍺薄膜於上述矽基板,其中上述反應氣體至少包括鍺甲烷(GeH4)與氫氣(H2)。

解決的問題或達成的功效:
本發明係利用電子迴旋共振化學氣相沉積法,在低於300℃的製程溫度下有效解離反應氣體,以磊晶成長單晶鍺薄膜於矽基板上,並製備而得具有表面粗糙度小於3奈米之單晶鍺薄膜。並且,本發明之製備單晶鍺薄膜的製程溫度全程低於300℃,除了可克服矽與鍺材料之不同的熱膨脹係數所造成的熱應力缺陷以提升元件良率之外,還可改善傳統高溫製程所造成的種種元件的限制。因此本發明之Ge on Si的低溫製程方法能有利於現有矽半導體製程系統的整合。 

應用領域:
本發明是有關於一種單晶鍺薄膜的製造方法,且特別是有關於一種利用電子迴旋共振化學氣相沉積法在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法。 

適用產品:
單晶鍺薄膜的製造

IPC:
H01L-021/20(2006.01)

Claim 1:
1.一種在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法,包括:提供一矽基板;將該矽基板置入一真空腔體;將該矽基板加熱至具有一溫度,其中該溫度小於300℃;以及於該真空腔體中,利用一電子迴旋共振化學氣相沉積法形成一單晶鍺薄膜於該矽基板,包括:利用一微波源將通入該真空腔體之一反應氣體進行解離,以沉積該單晶鍺薄膜於該矽基板,其中該反應氣體至少包括鍺甲烷(GeH4)與氫氣(H2)。 

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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