專利名稱 | 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統 INLET SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS |
申請日 (校編號) | 2014/02/26 (102036TW) |
專利證書號 | I545224 中華民國 |
專利權人 | 國立中央大學 |
發明人 | 陳志臣、張敬信 |
技術摘要: | ||||||||
本發明為一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統,其包括:主要進氣模組及輔助進氣模組。主要進氣模組用以通載反應氣體,輔助進氣模組則用以通載載流氣體。輔助進氣模組設置於主要進氣模組之外圍,以減少渦流的產生並阻隔反應氣體對腔壁的污染,同時能集中反應氣體以達到提升反應氣體的反應率及薄膜生長率。 |
||||||||
解決的問題或達成的功效: | ||||||||
一、提升反應氣體的反應率及薄膜生長率;
二、減少渦流的產生,以提高薄膜生長的均勻性與穩定性;
三、減少污染,並降低反應器腔體之清洗維護頻率,提升設備的 使用效率,進而降低生產成本。 |
||||||||
應用領域: | ||||||||
關於一種進氣系統
特別是關於一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統。 |
||||||||
適用產品: | ||||||||
MOCVD系統
半導體技術 |
||||||||
IPC: | ||||||||
C23C-16/455(2006.01);
C23C-016/54(2006.01) |
||||||||
Claim 1: | ||||||||
1.一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統,其包括:一主要進氣模組,用以通載至少一反應氣體;以及一輔助進氣模組,其設置於該主要進氣模組之外圍,並且包括至少一輔助進氣流道,用以通載一載流氣體。 |
||||||||
聯繫方式 | ||||||||
|
||||||||