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有機金屬化學氣相沉積設備進氣設備進氣系統輔助流道設計 The subsidiary inlet for gas injection system on the MOCVE(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)
專利名稱 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統 INLET SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS
申請日 (校編號) 2014/02/26  (102036TW)
專利證書號 I545224 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 陳志臣、張敬信


技術摘要:
本發明為一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統,其包括:主要進氣模組及輔助進氣模組。主要進氣模組用以通載反應氣體,輔助進氣模組則用以通載載流氣體。輔助進氣模組設置於主要進氣模組之外圍,以減少渦流的產生並阻隔反應氣體對腔壁的污染,同時能集中反應氣體以達到提升反應氣體的反應率及薄膜生長率。

解決的問題或達成的功效:
一、提升反應氣體的反應率及薄膜生長率; 二、減少渦流的產生,以提高薄膜生長的均勻性與穩定性; 三、減少污染,並降低反應器腔體之清洗維護頻率,提升設備的 使用效率,進而降低生產成本。

應用領域:
關於一種進氣系統 特別是關於一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統。

適用產品:
MOCVD系統 半導體技術

IPC:
C23C-16/455(2006.01); C23C-016/54(2006.01)

Claim 1:
1.一種用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統,其包括:一主要進氣模組,用以通載至少一反應氣體;以及一輔助進氣模組,其設置於該主要進氣模組之外圍,並且包括至少一輔助進氣流道,用以通載一載流氣體。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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