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場效電晶體裝置及其製造方法 Field effect transistor device and method for fabricating the same
專利名稱 場效電晶體裝置及其製造方法FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE
申請日 (校編號) 2013/08/08  (101056US)
2013/07/31  (101056TW)
專利證書號 9,093,510 美國
I500157 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、林惠鈴、李庚諺、陳世鵬


技術摘要:
本發明提供一種場效電晶體裝置及其製造方法。該場效電晶體裝置包含:一基底;一緩衝層、一通道層、及一第一阻障層依序配置於該基底之上;一二維電子氣控制層配置於該第一障阻層之上,其中該二維電子氣控制層具有一厚度大於或等於5nm;一第二阻障層配置於該二維電子氣控制層之上,其中該第二阻障層具有一貫孔貫穿該第二障阻層;以及,一閘極填入該貫孔,其中該閘極係藉由一絕緣層與該第二阻障層以及該二維電子氣控制層相隔。

解決的問題或達成的功效:
本發明係關於一種場效電晶體裝置及其製造方法,特別關於一種常關型場效電晶體裝置及其製造方法。

應用領域:
半導體製程、晶圓代工

適用產品:
電子產品

IPC:
H01L-029/78(2006.01);H01L-021/28(2006.01)

Claim 1:
1.一場效電晶體裝置,包含:一基底;一緩衝層、一通道層、及一第一阻障層依序配置於該基底之上;一二維電子氣控制層配置於該第一障阻層之上,其中該二維電子氣控制層具有一厚度大於或等於5nm;一第二阻障層配置於該二維電子氣控制層之上,其中該第二阻障層具有一貫孔貫穿該第二障阻層;以及一閘極填入該貫孔,其中該閘極係藉由一絕緣層與該第二阻障層以及該二維電子氣控制層相隔。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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