一種以塗佈式介電質材料形成平台側壁的方法A method for fabricating mesa sidewall with spin coated dielectric material
 專利名稱 |
介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及其半導體元件Method For Fabricating Mesa Sidewall With Spin Coated Dielectric Material And Semiconductor Element Thereof |
| 申請日 (校編號) |
2013/09/06 (101046US) 2013/02/06 (101046TW) |
| 專利證書號 |
9,076,650 美國 I509689 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
綦振瀛、王聖瑜、陳俊明 |
| 技術摘要： |
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| 在較常見的III-V族化合物半導體中，成長於砷化鎵及磷化銦基板之材料系統因為具有較高的電子遷移率，而被視為追求更高操作頻率的關鍵材料。 此系統的異質接面雙極性電晶體(heterojunction bipolar transistor，HBT)為一垂直元件，因此其傳輸時間可由磊晶層的厚度來控制，相較於水平傳導的高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor，HEMT)，異質接面雙極性電晶體更容易達到高電流及高操作頻率之目的，因此成為較被為看好的選擇。然而，上述元件受限於製程的原因，具有很高的損壞率。而類似上述元件，一般來說需要有平台側壁進行支撐，避免損壞。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係關於一種半導體製程的技術，更進一步來說，本發明係關於一種介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法。 |
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| 應用領域： |
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| 半導體製程、晶圓代工 |
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| 適用產品： |
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| 高速電子元件 |
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| IPC： |
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| H01L21/02; H01L29/737; H01L29/778 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法，包括：在一半導體基板上，配置一物件，其中，該物件具有一不受離子轟子影響之結構；進行一旋轉塗抹製程，用以披覆一液態塗佈式介電質材料；進行一烘乾製程，使該液態塗佈式介電質材料成為一乾燥介電質材料；進行一第一乾蝕刻製程，用以去除該乾燥介電質材料之一部分，使該物件的該不受離子轟子影響之結構露出；進行一沈積製程，用以對該物件的該不受離子轟子影響之結構進行絕緣披覆；以及進行一第二乾蝕刻製程，以構成一具有平台側壁的半導體元件。 |
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| 相關圖片： |
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