技術媒合網

國際產業聯盟


    快速搜尋        

一種以塗佈式介電質材料形成平台側壁的方法A method for fabricating mesa sidewall with spin coated dielectric material
專利名稱 介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及其半導體元件Method For Fabricating Mesa Sidewall With Spin Coated Dielectric Material And Semiconductor Element Thereof
申請日 (校編號) 2013/09/06  (101046US)
2013/02/06  (101046TW)
專利證書號 9,076,650 美國
I509689 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、王聖瑜、陳俊明


技術摘要:
在較常見的III-V族化合物半導體中,成長於砷化鎵及磷化銦基板之材料系統因為具有較高的電子遷移率,而被視為追求更高操作頻率的關鍵材料。 此系統的異質接面雙極性電晶體(heterojunction bipolar transistor,HBT)為一垂直元件,因此其傳輸時間可由磊晶層的厚度來控制,相較於水平傳導的高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor,HEMT),異質接面雙極性電晶體更容易達到高電流及高操作頻率之目的,因此成為較被為看好的選擇。然而,上述元件受限於製程的原因,具有很高的損壞率。而類似上述元件,一般來說需要有平台側壁進行支撐,避免損壞。

解決的問題或達成的功效:
本發明係關於一種半導體製程的技術,更進一步來說,本發明係關於一種介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法。

應用領域:
半導體製程、晶圓代工

適用產品:
高速電子元件

IPC:
H01L21/02; H01L29/737; H01L29/778

Claim 1:
1.一種介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法,包括:在一半導體基板上,配置一物件,其中,該物件具有一不受離子轟子影響之結構;進行一旋轉塗抹製程,用以披覆一液態塗佈式介電質材料;進行一烘乾製程,使該液態塗佈式介電質材料成為一乾燥介電質材料;進行一第一乾蝕刻製程,用以去除該乾燥介電質材料之一部分,使該物件的該不受離子轟子影響之結構露出;進行一沈積製程,用以對該物件的該不受離子轟子影響之結構進行絕緣披覆;以及進行一第二乾蝕刻製程,以構成一具有平台側壁的半導體元件。


相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
瀏覽人數:27332