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規則有序矽基微奈米孔洞陣列結構之製作方法
專利名稱 具有規則結構之矽基板的製造方法
METHOD OF MANUFACTURING SILICON SUBSTRATE WITH WELL-ORDERED STRUCTURE
申請日 (校編號) 2012/08/14  (101006TW)
專利證書號 I473157 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 鄭紹良、林耀星


技術摘要:
本發明係揭露一種具有規則結構之矽基板的製造方法。方法包括提供矽基板;提供自組裝之聚合物排列於矽基板之表面上,以使聚合物接觸之表面為第一區域,且聚合物未接觸之表面為第二區域;利用電漿處理矽基板之表面,以於第二區域產生保護層;以及使矽基板進行蝕刻處理,以侵蝕第一區域而產生凹部,而得到具有規則結構之矽基板。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種矽基板的製造方法,特別是有關於一種具有規則結構之矽基板的製造方法。

應用領域:
具有規則結構之矽基板的製造

適用產品:
半導體

IPC:
H01L-021/306(2006.01)

Claim 1:
1.一種具有規則結構之矽基板的製造方法,其包括:提供一矽基板;提供自組裝之複數個聚合物排列於該矽基板之一表面上,以使該些聚合物接觸之該表面為一第一區域,且該些聚合物未接觸之該表面為一第二區域;利用一電漿處理該矽基板之該表面之該第二區域,以於該第二區域產生一保護層;以及使該矽基板進行一蝕刻處理,以侵蝕該第一區域而產生複數個凹部,而得到具有規則結構之該矽基板;其中,該些聚合物係為複數個球狀聚合物。

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