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釕承載於中孔洞MCM-41奈米金屬觸媒之方法及於對二甲苯氫化反應之應用Catalyst, Method for Manufarturing the Same by Supercritical Fluid and Method for Hydrogenating an Aromatic Compound by Using the Same
專利名稱 釕承載於中孔洞MCM-41奈米金屬觸媒之方法及於對二甲苯氫化反應之應用Catalyst, Method for Manufarturing the Same by Supercritical Fluid and Method for Hydrogenating an Aromatic Compound by Using the Same
申請日 (校編號) 2011/05/13  (100023TW)
專利證書號 I418405 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 談駿嵩、陳郁文、林新惟、顏旭


技術摘要:
本發明揭示一種以化學流體沉積法製備釕承載於中孔洞MCM-41之奈米金屬觸媒,及於對二甲苯氫化反應之方法;其包括製備奈米觸媒方法一:選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium Acetylacetonate,Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒,先以適量之溶劑(例如:四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪,再將溶劑抽乾後,即得到分散良好的粉末;將此粉末置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。或製備奈米觸媒方法二:選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium,Ru(cod)(tmhd)2,而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。其以化學流體沉積法製備之觸媒,能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中,相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。此製備之觸媒用於對二甲苯之氫化,其中釕對MCM-41之重量百分比介於1 wt.%至10 wt.%,氫氣壓力介於10 bar至100 bar,溫度介於20℃至100℃。

解決的問題或達成的功效:
以化學流體沉積法製備之觸媒,能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中,相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。

應用領域:
將釕奈米金屬沉積在一種中孔洞二氧化矽MCM-41做為觸媒

適用產品:


IPC:
B01J-037/03(2006.01);B01J-023/46(2006.01);B01J-029/04(2006.01);C07C-005/10(2006.01)

Claim 1:
1.一種以化學流體沉積法製備釕承載於MCM-41之中孔洞奈米金屬觸媒之方法,其包括製備奈米觸媒方法一:選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium acetylacetonate,Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒,先以適量之溶劑(例如:四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪,再將溶劑抽乾後,即得到分散良好的粉末;將此粉末置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳;或製備奈米觸媒方法二:選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium,Ru(cod)(tmhd)2,而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃;當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
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