 技術摘要： |
本發明揭示一種以化學流體沉積法製備釕承載於中孔洞MCM-41之奈米金屬觸媒，及於對二甲苯氫化反應之方法；其包括製備奈米觸媒方法一：選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium Acetylacetonate，Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒，先以適量之溶劑(例如：四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪，再將溶劑抽乾後，即得到分散良好的粉末；將此粉末置入高壓反應器中，升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。或製備奈米觸媒方法二：選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium，Ru(cod)(tmhd)2，而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中，升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。其以化學流體沉積法製備之觸媒，能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中，相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。此製備之觸媒用於對二甲苯之氫化，其中釕對MCM-41之重量百分比介於1 wt.%至10 wt.%，氫氣壓力介於10 bar至100 bar，溫度介於20℃至100℃。
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| 解決的問題或達成的功效： |
以化學流體沉積法製備之觸媒，能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中，相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。
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| 應用領域： |
將釕奈米金屬沉積在一種中孔洞二氧化矽MCM-41做為觸媒
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| 適用產品： |
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| IPC： |
B01J-037/03(2006.01);B01J-023/46(2006.01);B01J-029/04(2006.01);C07C-005/10(2006.01)
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| Claim 1： |
1.一種以化學流體沉積法製備釕承載於MCM-41之中孔洞奈米金屬觸媒之方法，其包括製備奈米觸媒方法一：選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium acetylacetonate，Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒，先以適量之溶劑(例如：四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪，再將溶劑抽乾後，即得到分散良好的粉末；將此粉末置入高壓反應器中，升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳；或製備奈米觸媒方法二：選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium，Ru(cod)(tmhd)2，而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中，升溫到100℃至300℃；當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。
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