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積體化交流式發光二極體模組之方法METHOD FOR FABRICATING INTEGRATED ALTERNATING-CURRENT LIGHT-EMITTING-DIODE MODULE
專利名稱 積體化交流式發光二極體模組之方法METHOD FOR FABRICATING INTEGRATED ALTERNATING-CURRENT LIGHT-EMITTING-DIODE MODULE
申請日 (校編號) 2012/01/03  (100009US)
2011/08/04  (100009TW)
專利證書號 8,426,226 美國
I478358 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、李庚諺、林偉聖


技術摘要:
一種積體化交流式發光二極體模組之方法,首先於一基板上形成一接面層,並於該接面層表面定義出分隔的一第一成長區域及一第二成長區域,接著於該第一成長區域與該第二成長區域分開成長一蕭基二極體及一發光二極體,再於該蕭基二極體、該發光二極體以及該基板上設置一鈍化層以及一金屬層。如此一來,該蕭基二極體得以透過該金屬層與該發光二極體電性連接,增加二極體之間電性連接的可靠度,並縮小整個模組配置的使用面積,更達到產業利用上降低成本的優勢。

解決的問題或達成的功效:
本發明為有關一種交流式發光二極體模組,尤指一種積體化蕭基二極體及發光二極體以形成交流式發光二極體模組的方法。

應用領域:
發光二極體

適用產品:
照明系統

IPC:
H01L-029/872(2006.01);H01L-033/00(2010.01);H01L-027/118(2006.01)

Claim 1:
1.一種積體化交流式發光二極體模組之方法,包含有以下步驟:
  提供一基板與一承載於該基板之接面層,該接面層表面定義有至少一第一成長區域、至少一第二成長區域及至少一位於該第一成長區域與該第二成長區域之間的非成長區域;
  分別在該第一成長區域與該第二成長區域形成一蕭基二極體以及一發光二極體,該蕭基二極體與該發光二極體表面分別定義有一第一電性連接區域與一第二電性連接區域;
  移除該接面層之該非成長區域至露出該基板,令該接面層之第一成長區域與該第二成長區域彼此相距一隔離間距;
  覆蓋一露出該第一電性連接區域及該第二電性連接區域的鈍化層在該蕭基二極體、該發光二極體及該基板對應該非成長區域之表面;以及
  於該鈍化層、該第一電性連接區域與該第二電性連接區域上形成一金屬層,使該蕭基二極體得以透過該金屬層與該發光二極體電性連接。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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