以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法 Method For Measuring The Film Element Using Optical Multi-Wavelength Interferometry
 專利名稱 |
以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法 Method For Measuring The Film Element Using Optical Multi-Wavelength Interferometry |
| 申請日 (校編號) |
2010/12/06 (099080TW) 2010/12/06 (099080JP) |
| 專利證書號 |
I426258 中華民國 特許第5461376號 日本 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
李正中、吳鍇 |
| 技術摘要： |
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| 本發明為一種以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法，其利用動態干涉法擷取成長中薄膜的反射相位之光學監測方法。一可去除環境震動和空氣擾動影響動態干涉儀使用於此系統中去直接監測反射相位的變化。進一步，可依據反射相位與光反射率即時獲得薄膜之反射係數，並以此計算等效導納值。進而以等效導納值計算薄膜之膜厚與折射率。它提供了製作薄膜元件中全方位而精確的監測。隨薄膜成長而變化的軌跡亦可因此被監測。從這些軌跡，使用者可直接找出更佳的錯誤補償效益。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 應用領域： |
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| 本發明係有關於一種光學監測架構和方法，特別是有關於一種以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法，其利用動態干涉術進行監測薄膜之變化。 |
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| 適用產品： |
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| 薄膜 |
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| IPC： |
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| G01N-021/17(2006.01);G01N-021/45(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種以動態干涉儀即時監測薄膜成長方法，其包含:
提供一基板；
使用一低同調光為光源之動態干涉儀依據相位遮罩影像感測單元量測一薄膜的反射相位；
使用該動態干涉儀將該低同調光分成第一線性偏振光與第二線性偏振光，此兩線性偏振光的偏振態相互垂直;該二線性偏振光正向入射基板與薄膜，並在基板兩側之介面產生反射;
該相位遮罩影像感測單元接收所有反射光，所有行經光程差小於同調長度(coherence length)的反射光在經過該相位遮罩影像感測單元上的偏振片後，彼此產生干涉現象；
該動態干涉儀產生該干涉光並依據該干涉光產生一反射相位；
依據一光感測器量測一薄膜光穿透率並計算非吸收薄膜反射率，或依據該相位遮罩影像感測單元直接量測薄膜反射率；依據該反射相位與該光反射率產生對應於該薄膜之不同時刻的反射係數；
依據該反射係數算出等效導納值；以及
以等效導納值計算該薄膜之一膜厚與一折射率。 |
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| 聯繫方式 |
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