具氧化輪廓之垂直共振腔面射型雷射
 專利名稱 |
具氧化輪廓之垂直共振腔面射型雷射 Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Device Having Relief Structure |
| 申請日 (校編號) |
2011/02/14 (099077US) 2010/12/22 (099077TW) |
| 專利證書號 |
8,649,411 美國 I427879 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
許晉瑋、郭峰銘 |
| 技術摘要： |
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| 一種具氧化輪廓之垂直共振腔面射型雷射，係包括一基板、一外延層結構、一隔絕層、一N型接面、一P型接面、一N型金屬電極及一P型金屬電極所組成。係經由使用單一蝕刻氧化程序以沿著側壁處形成一在主動層上方至少達100nm以上之氧化輪廓，可具有優越之動態性能，包括功率消耗及最大之運轉速度，且亦可遠遠超過文獻報告中之高資料傳輸速率與功率消耗之比值，能在34與12.5 Gbps下可分別達成2.9與9.2 Gbps/mW之世界記錄。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種具氧化輪廓之垂直共振腔面射型雷射，尤指涉及一種藉由蝕刻氧化程序選擇性移除在850nm波段VCESL之單一氧化層，特別係指經由使用單一蝕刻氧化程序以沿著側壁處形成一在主動層上方至少達100nm以上之氧化輪廓者。 |
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| 應用領域： |
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| 綠色網際網路、光偵測上使用 |
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| 適用產品： |
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| 光二極體 |
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| IPC： |
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| H01S-005/183(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種具氧化輪廓之垂直共振腔面射型雷射，係經由使用單一蝕刻氧化程序以沿著側壁處形成一間隙至少達100nm以上之氧化輪廓，其包括：一基板；一外延層結構，其堆疊於該基板上，係由一n型分佈式布拉格反射鏡(n-Distributed Bragg Reflector,n-DBR)、一發光區(Active Region)及一p型分佈式布拉格反射鏡(p-DBR)所組成，且該發光區係夾置於該n型分佈式布拉格反射鏡及該p型分佈式布拉格反射鏡之間之多重量子井結構，該發光區上方並包含有一氧化輪廓結構(Oxide-Relief Structure)，該氧化輪廓結構係定義有一環形電流侷限區域，且該氧化輪廓結構係經由單一蝕刻氧化程序形成垂直側壁蝕刻之氧化層輪廓，與該發光區之間具有至少100nm以上距離；一隔絕層(Bisbenzocyclobutene,BCB)，具有一光源射出口，係在該光源射出口兩端延伸包圍該p型分佈式布拉格反射鏡、該發光區及部分之n型分佈式布拉格反射鏡，並使該氧化輪廓結構介於此隔絕層兩端延伸包圍所定義之區間，俾供該光源射出口之中心係對正該環形電流侷限區域；一N型接面(N Contact)，係埋設於該隔絕層中並位於該隔絕層與該n型分佈式布拉格反射鏡介面上；一P型接面(P Contact)，係埋設於該隔絕層中並位於該隔絕層與該p型分佈式布拉格反射鏡介面上；一N型金屬電極(Metal Pad)，係形成於該隔絕層上並於該隔絕層內具有一貫穿孔洞而與該N型接面電性連接；以及一P型金屬電極，係形成於該隔絕層上並於該隔絕層內具有一貫穿孔洞而與該P型接面電性連接。 |
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| 相關圖片： |
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