 技術摘要： |
一種隨機存取記憶體架構,以單一「行(column)」作為架構之代表,其中係包括: 一讀/寫控制訊號、一讀/寫控制電晶體區塊、一等化電晶體區塊、一典型六電晶體型記憶體細胞區塊、一感測放大器區塊、一行選取電晶體區塊與一寫入驅動器。其中,該等化電晶體區塊係用以進行等化動作;該典型六電晶體型記憶體細胞區塊用以作為資料被寫入與儲存資料的場所;該感測放大器區塊用以將所儲存的資料正確讀出;該寫入驅動器係用以進行寫入資料之動作,藉以,有效提升讀取靜態相位雜訊限度且幾乎不增加複雜度與面積並降低操作功耗。
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| 解決的問題或達成的功效： |
本創作係一種有關於隨機存取記憶體之技術領域，尤指一種可有效提升讀取靜態相位雜訊限度且不增加複雜度與面積並降低操作功耗之隨機存取記憶體架構。
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| 應用領域： |
電路設計
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| 適用產品： |
SRAM記憶體
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| IPC： |
G11C-007/22(2006.01)
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| Claim 1： |
1.一種隨機存取記憶體架構，係包括：一讀/寫控制訊號；一讀/寫控制電晶體區塊，該讀/寫控制電晶體區塊係受到該讀/寫控制訊號的控制，當記憶體進入寫入(write)操作時，該讀/寫控制電晶體區塊裡的電路會使位元線與反相位元線接到供應電源的兩條路徑導通，反之，則會將該位元線與該反相位元線接到該供應電源的兩條路徑關閉；一等化電晶體區塊，該等化電晶體區塊係用以將該位元線與該反相位元線的電壓位準進行等化動作；一典型六電晶體型記憶體細胞區塊，該典型六電晶體型記憶體細胞區塊係用以作為資料被寫入與儲存資料的場所；一感測放大器區塊，該感測放大器區塊係用以當記憶體進行讀取動作時，可在該位元線與該反相位元線產生極小的電壓差的情形時，將該典型六電晶體型記憶體細胞區塊中所儲存的資料正確讀出；一行選取電晶體區塊，該行選取電晶體區塊係用以選取出要被寫入(write)或讀取(read)之資料所在的該行(column)，該行選取電晶體區塊係可決定是否該行(column)要被開啟以進行寫入(write)或讀取(read)之動作，該行選取電晶體區塊亦可用以當該行(column)的該典型六電晶體型記憶體細胞區塊中所儲存的資料被讀取時，可於該感測放大器區塊啟動時，將該位元線與該反相位元線與該感測放大器區塊的連接路徑隔離；以及，一寫入驅動器，該寫入驅動器係用以記憶體進行寫入操作時，對該行(column)中的該典型六電晶體型記憶體細胞區塊進行寫入資料之動作。
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