氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜以及基板結構MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE CRYSTALLINE FILM, NITRIDE FILM AND SUBSTRATE STRUCTURE
 專利名稱 |
氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜以及基板結構 MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE CRYSTALLINE FILM, NITRIDE FILM AND SUBSTRATE STRUCTURE |
| 申請日 (校編號) |
2009/03/06 (097037US) 2008/11/10 (097037TW) |
| 專利證書號 |
8,173,462 美國 I384548 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
郭政煌、郭奇文、郭俊儒 |
| 技術摘要： |
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| 一種氮化物結晶膜的製造方法，包括下列步驟。首先，提供一基板。然後，在基板上形成第一氮化物結晶膜。接著，在第一氮化物結晶膜上形成一圖案化遮罩，其中圖案化遮罩會覆蓋第一氮化物結晶膜的一第一部分，並暴露出第一氮化物結晶膜的一第二部分。之後，蝕刻第二部分，並保留第一部分。再來，移除圖案化遮罩。然後，蝕刻第一部分，以形成多個氮化物晶核。接著，在基板上形成第二氮化物結晶膜，並使第二氮化物結晶膜覆蓋氮化物晶核。一種氮化物薄膜及一種基板結構亦被提出。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明是有關於一種薄膜、其製造方法及具有此薄膜的基板結構，且特別是有關於一種氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜及具有此氮化物薄膜的基板結構。 |
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| 應用領域： |
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| 本發明提供一種氮化物結晶膜的製造方法，其能夠不採用緩衝層就形成品質良好的氮化物結晶膜。 本發明提供一種氮化物薄膜，其具有良好的品質。 本發明提供一種基板結構，其不具有緩衝層，且具有品質良好的氮化物結晶膜。 |
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| 適用產品： |
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| 薄膜 |
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| IPC： |
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| H01L-021/02(2006.01);H01L-033/16(2010.01); H01L-021/31(2006.01);H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種氮化物結晶膜的製造方法，包括：提供一基板；在該基板上形成一第一氮化物結晶膜；在該第一氮化物結晶膜上形成一圖案化遮罩，其中該圖案化遮罩會覆蓋該第一氮化物結晶膜的一第一部分，並暴露出該第一氮化物結晶膜的一第二部分；蝕刻該第二部分，並保留該第一部分；移除該圖案化遮罩；蝕刻該第一部分，以使部分該第一部分截斷而離開該基板，剩餘的該第一部分則形成多個直接接觸該基板的氮化物晶核；在該基板上形成一第二氮化物結晶膜，並使該第二氮化物結晶膜覆蓋該些氮化物晶核，且使該第一氮化物結晶膜直接接觸該基板。 |
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