技術媒合網

國際產業聯盟


    快速搜尋        

氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜以及基板結構MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE CRYSTALLINE FILM, NITRIDE FILM AND SUBSTRATE STRUCTURE
專利名稱 氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜以及基板結構
MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE CRYSTALLINE FILM, NITRIDE FILM AND SUBSTRATE STRUCTURE
申請日 (校編號) 2009/03/06  (097037US)
2008/11/10  (097037TW)
專利證書號 8,173,462 美國
I384548 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 郭政煌、郭奇文、郭俊儒


技術摘要:
一種氮化物結晶膜的製造方法,包括下列步驟。首先,提供一基板。然後,在基板上形成第一氮化物結晶膜。接著,在第一氮化物結晶膜上形成一圖案化遮罩,其中圖案化遮罩會覆蓋第一氮化物結晶膜的一第一部分,並暴露出第一氮化物結晶膜的一第二部分。之後,蝕刻第二部分,並保留第一部分。再來,移除圖案化遮罩。然後,蝕刻第一部分,以形成多個氮化物晶核。接著,在基板上形成第二氮化物結晶膜,並使第二氮化物結晶膜覆蓋氮化物晶核。一種氮化物薄膜及一種基板結構亦被提出。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種薄膜、其製造方法及具有此薄膜的基板結構,且特別是有關於一種氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜及具有此氮化物薄膜的基板結構。

應用領域:
本發明提供一種氮化物結晶膜的製造方法,其能夠不採用緩衝層就形成品質良好的氮化物結晶膜。
本發明提供一種氮化物薄膜,其具有良好的品質。
本發明提供一種基板結構,其不具有緩衝層,且具有品質良好的氮化物結晶膜。

適用產品:
薄膜

IPC:
H01L-021/02(2006.01);H01L-033/16(2010.01);
H01L-021/31(2006.01);H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
1.一種氮化物結晶膜的製造方法,包括:提供一基板;在該基板上形成一第一氮化物結晶膜;在該第一氮化物結晶膜上形成一圖案化遮罩,其中該圖案化遮罩會覆蓋該第一氮化物結晶膜的一第一部分,並暴露出該第一氮化物結晶膜的一第二部分;蝕刻該第二部分,並保留該第一部分;移除該圖案化遮罩;蝕刻該第一部分,以使部分該第一部分截斷而離開該基板,剩餘的該第一部分則形成多個直接接觸該基板的氮化物晶核;在該基板上形成一第二氮化物結晶膜,並使該第二氮化物結晶膜覆蓋該些氮化物晶核,且使該第一氮化物結晶膜直接接觸該基板。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
瀏覽人數:27333