發光二級體反射結構及其製造方法
 專利名稱 |
發光二級體反射結構及其製造方法 |
| 申請日 (校編號) |
2008/11/06 (097033TW) |
| 專利證書號 |
I384653 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、陳柏翰 |
| 技術摘要： |
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| 一種發光二極體反射結構及其製造方法，係將與半導體接觸之歐姆接觸層製作成網狀結構，之後覆蓋上一反射層並鍍上薄膜式或覆晶式發光二極體封裝所需金屬材料。藉此，利用此網狀結構之特性，可使電流均勻分佈而維持低接觸電阻，以供該發光二極體於發出光源時，由該網狀結構中之網狀孔洞提供該反射層作直接反射，進而提高該發光二極體之反射率。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係有關於一種發光二極體反射結構及其製造方法，尤指一種將與半導體接觸之歐姆接觸層(Ohmic Contact Layer)製作成網狀結構，之後覆蓋上反射層(Reflective Layer)並鍍上薄膜式(Thin-Film)或覆晶式(Flip Chip)發光二極體封裝所需之金屬材料，可提升發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)上反射層之反射率並維持低接觸電阻者。 |
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| 應用領域： |
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| 發光二極體反射結構及其製造 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/36(2010.01); H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體反射結構，係包括：一發光二極體晶圓(LED Wafer)，係至少包括一基板(Substrate)以及一磊晶成長於該基板上之發光磊晶結構；一歐姆接觸層(Ohmic Contact Layer)，係為一網狀結構，且形成於該發光二極體晶圓上，其中，該歐姆接觸層之網狀結構係為非完整平面且具有網狀孔洞之三維結構；一反射層(Reflective Layer)，係覆蓋於此網狀結構之歐姆接觸層上；以及藉由該歐姆接觸層之網狀結構，可使電流均勻分佈而維持低接觸電阻，以供該發光二極體於發出光源時，由該網狀結構中之網狀孔洞提供該反射層作直接反射，而提高該發光二極體之反射率者。 |
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