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封裝基座結構及其製作方法 PACKAGE BASE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
專利名稱 封裝基座結構及其製作方法 パッケージベース及びその成形方法
PACKAGE BASE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請日 (校編號) 2010/08/27  (097016JP)
2010/03/12  (097016CH)
專利證書號 特許5008758 日本
1106302 中國
專利權人 國立中央大學
發明人 伍茂仁、藍孝晉、溫安農、許志宏、蕭旭良、張家齊、李佳祐、陳秀萍、鍾敏豪


技術摘要:
本案係為一種封裝基座結構及其製作方法,該封裝基座製作方法包含下列步驟:提供一半導體基板,該半導體基板具有一表面;於該半導體基板之表面上方形成一第一蝕刻罩幕,該第一蝕刻罩幕上具有一蝕刻窗口,該蝕刻窗口具有沿一第一方向延伸之一側壁,而該第一方向與該半導體基板之晶格方向間具有一偏移角度,該偏移角度之範圍大於等於0度且小於45度或小於等於90度但大於45度;運用該第一蝕刻罩幕及該蝕刻窗口對該半導體基板進行一選擇性非均向蝕刻,進而沿該第一方向而於該半導體基板表面上蝕刻出一斜面;於該斜面上形成一第二蝕刻罩幕,該第二蝕刻罩幕上具有複數個蝕刻窗口;以及運用該第二蝕刻罩幕及該等蝕刻窗口對該斜面進行蝕刻,進而於該斜面上蝕刻出具有複數個凹槽結構之一微光學繞射元件。

解決的問題或達成的功效:
本案係為一種封裝基座結構以及製作方法,尤指用於封裝一發光元件之封裝基座結構及其製作方法。

應用領域:


適用產品:


IPC:
H01L-021/48(2006.01);H01L-033/58(2010.01)

Claim 1:
1.一種封裝基座製作方法,該封裝基座製作方法包含下列步驟:提供一半導體基板,該半導體基板具有一表面;於該半導體基板之表面上方形成一第一蝕刻罩幕,該第一蝕刻罩幕上具有一蝕刻窗口,該蝕刻窗口具有沿一第一方向延伸之一側壁,而該第一方向與該半導體基板之晶格方向間具有一偏移角度,該偏移角度之範圍大於等於0度且小於45度或小於等於90度但大於45度;運用該第一蝕刻罩幕及該蝕刻窗口對該半導體基板進行一選擇性非均向蝕刻,進而沿該第一方向而於該半導體基板表面上蝕刻出一斜面;於該斜面上形成一第二蝕刻罩幕,該第二蝕刻罩幕上具有複數個蝕刻窗口;以及運用該第二蝕刻罩幕及該等蝕刻窗口對該斜面進行蝕刻,進而於該斜面上蝕刻出具有複數個凹槽結構之一微光學繞射元件。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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