發光二極體裝置及其製造方法LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
 專利名稱 |
發光二極體裝置及其製造方法 LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| 申請日 (校編號) |
2011/08/11 (096069US) 2008/08/18 (096069US) 2007/09/13 (096069TW) |
| 專利證書號 |
8,153,461 美國 8,017,962 美國 I363435 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
陳啟昌、劉正毓、陳世鵬、詹佳樺、王宏洲、林京亮、陳煌坤 |
| 技術摘要： |
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| 一種發光二極體裝置，係包括一導熱基板、一導熱黏貼層、一磊晶疊層、一電流擴散層以及一微奈米粗化結構。導熱黏貼層係設置於導熱基板上。磊晶疊層係與導熱黏貼層相對而設，且依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。電流擴散層係設置於磊晶疊層之第二半導體層與導熱黏貼層之間。微奈米粗化結構係設置於磊晶疊層之第一半導體層上。另外，本發明亦揭露一種發光二極體裝置的製造方法。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係關於一種具微奈米結構之發光二極體裝置及其製造方法。 |
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| 應用領域： |
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| 適用產品： |
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| IPC： |
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| H01L-033/00(2010.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體裝置，包括：一導熱基板；一導熱黏貼層，設置於該導熱基板上；一磊晶疊層，係與該導熱黏貼層相對而設，且依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；以及一電流擴散層，設置於該磊晶疊層之該第二半導體層與該導熱黏貼層之間；以及一微奈米粗化結構，設置於該磊晶疊層之該第一半導體層上。 |
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| 相關圖片： |
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| 聯繫方式 |
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