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發光二極體裝置及其製造方法LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
專利名稱 發光二極體裝置及其製造方法LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請日 (校編號) 2011/08/11  (096069US)
2008/08/18  (096069US)
2007/09/13  (096069TW)
專利證書號 8,153,461  美國
8,017,962 美國
I363435 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 陳啟昌、劉正毓、陳世鵬、詹佳樺、王宏洲、林京亮、陳煌坤


技術摘要:
一種發光二極體裝置,係包括一導熱基板、一導熱黏貼層、一磊晶疊層、一電流擴散層以及一微奈米粗化結構。導熱黏貼層係設置於導熱基板上。磊晶疊層係與導熱黏貼層相對而設,且依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。電流擴散層係設置於磊晶疊層之第二半導體層與導熱黏貼層之間。微奈米粗化結構係設置於磊晶疊層之第一半導體層上。另外,本發明亦揭露一種發光二極體裝置的製造方法。

解決的問題或達成的功效:
本發明之目的為提供一種能夠降低製造成本,且可增加導熱效率的發光二極體裝置及其製造方法。

應用領域:
本發明係關於一種具微奈米結構之發光二極體裝置及其製造方法。

適用產品:
奈米結構之發光二極體

IPC:
H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
1.一種發光二極體裝置,包括:一導熱基板;一導熱黏貼層,設置於該導熱基板上;一磊晶疊層,係與該導熱黏貼層相對而設,且依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層;以及一電流擴散層,設置於該磊晶疊層之該第二半導體層與該導熱黏貼層之間;以及一微奈米粗化結構,設置於該磊晶疊層之該第一半導體層上。 

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
         
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