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以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板LIGHT EMITTING DIODE SUBSTRATE USING NANO/MICRO SPHERES AS PERIODICAL STRUCTURE
專利名稱
申請日 (校編號)
專利證書號
專利權人 國立中央大學
發明人 陳啟昌、詹佳樺、侯佳宏
專利國家 中華民國,
應用領域


技術摘要:
本發明為有關一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板,係利用奈米/微米球作為模版,或利用該奈米/微米球模版進行反轉錄製程,再進行蝕刻獲得不同程度之粗化發光二極體基板,包括有一基板,一包含有p型磊晶層、發光層與n型磊晶層之磊晶結構層,一電流擴散層,以及一微米/奈米粗化結構層;由於製程無須黃光程序即可獲得單層且大面積週期性結構,且可提升發光二極體出光效率。

解決的問題或達成的功效:
本發明之一目的,在於提供一種利用具有週期性排列之奈米/微米球作為模版,或經該模版反轉錄所得之結構來粗化一發光二極體基板,由於製程無須黃光程序即可獲得單層且大面積週期性結構,可用來作為蝕刻製程之應用。

應用領域:
本發明為一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板,係利用具有週期性排列之奈米/微米球作為模版,或經該模版反轉錄所得之結構來粗化一基板,該基板可藉由不同粗化的時間來獲得不同程度之粗化結果,進而應用在該發光二極體(Light-Emitting Diode,簡稱LED)領域。

適用產品:
發光二極體基板

IPC:
H01L-033/22(2010.01);

Claim 1:
1.一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板,尤指一種利用一奈米/微米球作為模版,再進行蝕刻得到粗化發光二極體基板,其包括:一基板;一磊晶結構層,係與該基板相連接,並包含有一p型磊晶層、一發光層與一n型磊晶層;一電流擴散層,係與該p型磊晶層相連接;以及一微米/奈米粗化結構層。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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