以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板LIGHT EMITTING DIODE SUBSTRATE USING NANO/MICRO SPHERES AS PERIODICAL STRUCTURE
 專利名稱 |
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| 申請日 (校編號) |
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| 專利證書號 |
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| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
陳啟昌、詹佳樺、侯佳宏 |
| 專利國家 |
中華民國, |
| 應用領域 |
| 技術摘要： |
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| 本發明為有關一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板,係利用奈米/微米球作為模版,或利用該奈米/微米球模版進行反轉錄製程,再進行蝕刻獲得不同程度之粗化發光二極體基板,包括有一基板,一包含有p型磊晶層、發光層與n型磊晶層之磊晶結構層,一電流擴散層,以及一微米/奈米粗化結構層;由於製程無須黃光程序即可獲得單層且大面積週期性結構,且可提升發光二極體出光效率。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明之一目的，在於提供一種利用具有週期性排列之奈米/微米球作為模版，或經該模版反轉錄所得之結構來粗化一發光二極體基板，由於製程無須黃光程序即可獲得單層且大面積週期性結構，可用來作為蝕刻製程之應用。 |
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| 應用領域： |
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| 本發明為一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板，係利用具有週期性排列之奈米/微米球作為模版，或經該模版反轉錄所得之結構來粗化一基板，該基板可藉由不同粗化的時間來獲得不同程度之粗化結果，進而應用在該發光二極體(Light－Emitting Diode，簡稱LED)領域。 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體基板 |
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| IPC： |
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| H01L-033/22(2010.01); |
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| Claim 1： |
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| 1.一種以奈米/微米球作為週期性結構之發光二極體基板，尤指一種利用一奈米/微米球作為模版，再進行蝕刻得到粗化發光二極體基板，其包括：一基板；一磊晶結構層，係與該基板相連接，並包含有一p型磊晶層、一發光層與一n型磊晶層；一電流擴散層，係與該p型磊晶層相連接；以及一微米/奈米粗化結構層。 |
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| 聯繫方式 |
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