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具有 p型應力結構InGaN層的GaN異質結構雙載子電晶體及其製造方法 p型ひずみInGaNベース層を有するGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法
專利名稱 GAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED INGAN BASE LAYER
申請日 (校編號) 2006/05/30  (094028US)
2005/11/22  (094028TW)
專利證書號 7,622,788  美國
I293811 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 辛裕明、許進恭、薛光博


技術摘要:
一種具有p型應力結構氮化銦鎵層的氮化鎵異質結構雙載子電晶體,包括基板、位於基板上的高摻雜的集極接觸層、位於集極接觸層上的低摻雜的集極層、位於集極層上的p型基極層、位於p型基極層上的高摻雜的p型應力結構氮化銦鎵層、位於p型應力結構氮化銦鎵層上的射極層、位於射極層上的高摻雜的射極接觸層,以及分別位於射極接觸層、p型應力結構氮化銦鎵層與集極接觸層上的射極金屬電極、基極金屬電極與集極金屬電極。

解決的問題或達成的功效:
本發明是有關於一種異質結構雙載子電晶體,且特別是有關於一種具有p型應力結構氮化銦鎵層的氮化鎵異質結構雙載子電晶體及其製造方法。

應用領域:
無線通訊領域

適用產品:
半導體製造技術

IPC:
H01L-029/737(2006.01);H01L-029/205(2006.01);H01L-021/331(2006.01); (IPC 1-7) : H01L-033/00

Claim 1:
一第二電極,電性連接於該第二型摻雜半導體層;以及

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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