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發光二極體及其製造方法
專利名稱 發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATING METHOD THEREOF
申請日 (校編號) 2005/10/14  (093067US)
2004/12/28  (093067TW)
專利證書號 7,265,389  美國
I242300 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 劉正毓、賴元泰、王信介


技術摘要:
一種發光二極體的製造方法。在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。在第二型摻雜半導體層上形成一鍵合層。令一轉移基板與磊晶基板之鍵合層相結合。移除磊晶基板。移除部分第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層,以暴露出鍵合層之部分表面。圖案化鍵合層,以形成相互分離之一第一鍵合部與一第二鍵合部,其中第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層係位於第一鍵合部上。在第一型摻雜半導體層上形成一接墊。形成連接接墊與第二鍵合部之一導線。

解決的問題或達成的功效:
本發明的目的就是在提供一種發光二極體的製造方法,以製造出具有較佳發光效率的發光二極體。 此外,本發明的再一目的就是提供一種發光二極體,其具有較佳電流分佈。

應用領域:
關於一種二極體及其製造方法,且特別是有關於一種發光二極體及其製造方法。

適用產品:
發光二極體

IPC:
H01L-033/00(2010.01); (IPC 1-7) : H01L-033/00

Claim 1:
1.一種發光二極體的製造方法,包括: 在一磊晶基板上依序形成第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層; 在該第二型摻雜半導體層上形成一鍵合層; 令一轉移基板與該磊晶基板之該鍵合層相結合; 移除該磊晶基板; 移除部分該第一型摻雜半導體層、該發光層以及該第二型摻雜半導體層,以暴露出該鍵合層之部分表面; 圖案化該鍵合層,以形成相互分離之一第一鍵合部與一第二鍵合部,其中該第一型摻雜半導體層、該發光層以及該第二型摻雜半導體層係位於該第一鍵合部上; 在該第一型摻雜半導體層上形成一第一接墊;以及 形成連接該第一接墊與該第二鍵合部之一導線。

聯繫方式
聯絡人:研發處智權技轉組 與我連絡
電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
         
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