發光二極體及其製造方法
 專利名稱 |
發光二極體及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATING METHOD THEREOF |
| 申請日 (校編號) |
2005/10/14 (093067US) 2004/12/28 (093067TW) |
| 專利證書號 |
7,265,389 美國 I242300 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、賴元泰、王信介 |
| 技術摘要： |
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| 一種發光二極體的製造方法。在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。在第二型摻雜半導體層上形成一鍵合層。令一轉移基板與磊晶基板之鍵合層相結合。移除磊晶基板。移除部分第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層，以暴露出鍵合層之部分表面。圖案化鍵合層，以形成相互分離之一第一鍵合部與一第二鍵合部，其中第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層係位於第一鍵合部上。在第一型摻雜半導體層上形成一接墊。形成連接接墊與第二鍵合部之一導線。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明的目的就是在提供一種發光二極體的製造方法，以製造出具有較佳發光效率的發光二極體。
此外，本發明的再一目的就是提供一種發光二極體，其具有較佳電流分佈。 |
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| 應用領域： |
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| 關於一種二極體及其製造方法，且特別是有關於一種發光二極體及其製造方法。 |
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| 適用產品： |
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| 發光二極體 |
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| IPC： |
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| H01L-033/00(2010.01);
(IPC 1-7) : H01L-033/00 |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體的製造方法,包括:
在一磊晶基板上依序形成第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層;
在該第二型摻雜半導體層上形成一鍵合層;
令一轉移基板與該磊晶基板之該鍵合層相結合;
移除該磊晶基板;
移除部分該第一型摻雜半導體層、該發光層以及該第二型摻雜半導體層,以暴露出該鍵合層之部分表面;
圖案化該鍵合層,以形成相互分離之一第一鍵合部與一第二鍵合部,其中該第一型摻雜半導體層、該發光層以及該第二型摻雜半導體層係位於該第一鍵合部上;
在該第一型摻雜半導體層上形成一第一接墊;以及
形成連接該第一接墊與該第二鍵合部之一導線。 |
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| 聯繫方式 |
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