Au-Ag-Si三元低溫晶圓鍵合系統 Low temperature Au-Ag-Si ternary wafer bonding system
 專利名稱 |
三元晶圓鍵合之方法及其結構/METHOD FOR TERNARY WAFER BONDING AND STRUCTURE THEREOF |
| 申請日 (校編號) |
2014/04/11 (102026TW) |
| 專利證書號 |
I529826 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
劉正毓、林宜瑾 |
| 技術摘要： |
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| 本發明係關於一種三元晶圓鍵合之方法及其結構，其僅在單一矽晶圓之表面上，讓島狀結構之銀材質之第二鍵結層散布於金材質之第一鍵結層之上，形成金－銀之組合結構，而讓另一個表面不具有任何金屬膜層之矽晶圓與之在經過250℃之低溫進行熱處理後完成金－銀－矽之三元晶圓鍵合，降低了金－矽鍵合所需要的溫度，同時簡化了晶圓鍵合的程序，亦兼顧到晶圓鍵合之品質。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 提供一種三元晶圓鍵合之方法，其係在單一矽晶圓之表面上形成金－銀之組合結構，而讓另一個表面不具有任何金屬膜層之矽晶圓與之發生晶圓鍵合，讓金－矽鍵合由習知技術所需的約380℃降低至250℃。 |
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| 應用領域： |
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| 金－矽鍵合之三元晶圓鍵合 |
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| 適用產品： |
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| 半導體 |
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| IPC： |
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| H01L-021/58(2006.01);H01L-021/60(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種三元晶圓鍵合之方法，其步驟係包含：
蒸鍍一第一鍵結層於一第一矽晶圓上；
設置一第二鍵結層於該第一鍵結層之上，且該第二鍵結層係為複數個島式結構散布於該第一鍵結層之上並暴露部分之該第一鍵結層；
設置一第二矽晶圓於該第二鍵結層之上；以及
進行熱處理，使該第二矽晶圓與該第一鍵結層以及該第二件鍵結層產生三元鍵結；
其中，該第一鍵結層之材質係為金，該第二鍵結層之材質係為銀。 |
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| 相關圖片： |
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