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應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構
專利名稱 應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構
申請日 (校編號) 2012/04/18  (100084TW)
專利證書號 I497569 中華民國
專利權人 國立中央大學
發明人 綦振瀛、薛惟仁、邱培晉


技術摘要:
一種應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構,此結構包含在基板上所成長之砷化鎵(GaAs)成核層與單層或多層不同銻成分之銻砷化鎵(GaAsSb)漸變層。使用此結構可以抑制化合物半導體元件成長於矽或鍺基板上時,因晶格常數或晶體特性不匹配所產生之島狀成長與缺陷,並且亦可抑制鍺從基板擴散至其上方之磊晶層中,因而在此變晶層上可成長低缺陷密度之化合物半導體元件磊晶結構,使此化合物半導體元件成長在此變晶層結構上仍可維持其原有之優良特性。藉此,本發明係可應用於各種三五族半導體電子元件或光電元件與矽或鍺基板之整合。

解決的問題或達成的功效:
本發明該至少一發光元件係為藍光晶片,該藍光晶片之波長約為350nm至470nm。

應用領域:
本發明係有關於一種應用於整合化合物半導體元件於矽或鍺基板之變晶層結構,尤指涉及一種多層銻砷化鎵(GaAsSb)之變晶層,特別係指可應用於各種三五族半導體電子元件或光電元件與矽或鍺基板之整合結構者。

適用產品:
半導體元件

IPC:
H01L-021/18(2006.01);H01L-021/20(2006.01);H01L-031/00(2006.01);H01L-033/00(2010.01)

Claim 1:
1.一種在一特定材料上成長化合物半導體之變晶層結構,係包括:配置於一矽基板上之一成核層,其中該成核層係為砷化鎵(GaAs)成核層,其厚度係為100nm以下;以及緊鄰配置於該砷化鎵(GaAs)成核層上之數個漸變層,其中該數個漸變層係包括至少一為銻砷化鎵(GaAsSb)與銻磷化鎵(GaPSb)漸變層,該數個漸變層之總厚度係介於5nm~2000nm之間。

相關圖片:
     
 
     
 
     
 
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電話:03-4227151 #27076、27077 網址:http://www.caic.ncu.edu.tw/
地 址: 32001桃園市中壢區中大路300號
 
                 
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