發光二極體頻譜縮減微結構 LED Device Having Reduced Spectrum
 專利名稱 |
發光二極體頻譜縮減微結構 LED Device Having Reduced Spectrum |
| 申請日 (校編號) |
2006/10/19 (095017US) 2006/06/22 (095017TW) |
| 專利證書號 |
7,456,436 美國 I319238 中華民國 |
| 專利權人 |
國立中央大學 |
| 發明人 |
張正陽、許進恭、李建階、李有璋、許哲隆、李韻芝、杜昇翰 |
| 技術摘要： |
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| 本發明為發光二極體頻譜縮減微結構，由基板、發光二極體結構及光柵結構構成；或者由基板、n型氮化鎵層、主動層及具光柵結構之P型氮化鎵層構成，可有效縮減發光二極體結構發光的頻譜寬度，因此應用於背光模組三色混光時，可提高色域範圍，提升色彩顯示飽和度，本發明為簡單的光柵結構配合發光二極體結構作為波導層，不會對熱及電的特性造成不良之影響，且製程亦相對簡化。 |
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| 解決的問題或達成的功效： |
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| 本發明係一種發光二極體頻譜縮減微結構，尤指可縮減發光二極體結構發光的頻譜寬度之微結構。 |
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| 應用領域： |
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| 適用產品： |
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| IPC： |
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| H01L-033/10(2010.01);H01L-033/46(2010.01); H01L-033/00(2006.01);G02F-001/015(2006.01) |
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| Claim 1： |
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| 1.一種發光二極體頻譜縮減微結構，其至少包含：一基板；一N型氮化鎵層，該N型氮化鎵層係覆蓋於該基板上；一主動層，該主動層係覆蓋於該N型氮化鎵層上；一光柵結構，該光柵結構係覆蓋於該主動層上表面，且該光柵結構係以電介媒質材料或P型氮化鎵所構成；以及一P型氮化鎵層，該P型氮化鎵層係覆蓋於該光柵結構上表面。 |
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